根據BusinessKorea的報導，SK海力士在NAND技術方面的優勢已經超越了三星，特別是在”單元堆疊”技術方面取得了優勢，並且正在向三星在NAND 閃存市場的寶座發起衝擊。 SK Hynix 最新的”321 層”NAND 快閃記憶體晶片將大幅提升效能，這要歸功於額外的單元層。 SK 海力士已經在HBM 市場上為三星帶來了不小的衝擊，這對該公司來說是一個重要的里程碑。

雖然SK Hynix 是一家相對”小規模”的公司，但它在HBM 領域為英偉達（NVIDIA）等人工智慧巨頭爭取到的訂單甚至超過了三星。

SK Hynix 最新推出的321 層NAND 晶片將為市場帶來顯著的效能提升，晶片的層數比上一代技術增加了35%，資料傳輸速度提高12%，讀取效能提高13%，能源效率提高10%以上。

三星一直相當擔心SK Hynix 在市場上的進展，自V-NAND被發明以來，該公司被稱為垂直堆疊單元的”先驅”，可以大量增加層數從而提升存儲密度和性能。 但是，隨著SK Hynix 可能在這一領域取得領先地位，三星在NAND 領域的主導地位似乎可能會受到挑戰。

SK Hynix 在NAND 領域的領先地位固然令人驚訝，但必須指出的是，擁有高效的NAND 生產線同樣重要，而且鑑於三星在這一領域的統治地位，SK Hynix 將很難迎頭趕上。 然而，三星的低迷表現，再加上工藝問題遲遲難以解決導致新客戶的進入受阻，給了SK 海力士一個巨大的空白。

SK 海力士和三星的競爭不僅是一個商業問題，也是一個文化問題，兩家公司都參與了在韓國市場的主導地位的競爭。