台積電2nm製程步入正軌預計到2025年實現大規模生產
前段時間,台積電董事長兼執行長魏哲家表示,客戶對於2nm的詢問多於3nm,看起來更受客戶的歡迎。為了因應市場對2nm製程技術的強勁需求,台積電持續對此製程節點進行投資,加快了2nm產線的建設,並進一步擴大了產能規劃。
台積電在近日對官網上的邏輯製程內容進行了更新,稱台積電2nm(N2)技術開發按照計劃進行並且有良好的進展。 N2技術採用第一代奈米片(Nanosheet)電晶體技術,在性能和功耗方面實現了全面的飛躍,預計於2025年開始量產。主要客戶已完成2nm IP設計,並開始進行驗證。此外,台積電還開發了RDL(低阻值重置導線層)、超高效能金屬層間(MiM)電容,以進一步提高性能。
台積電N2技術將成為業界在密度和能源效率上最為先進的半導體技術,並採用領先的奈米片電晶體結構,其效能及功耗效率皆達到一個新層次,以滿足高效能運算日益增加的需求。 N2及其衍生技術將因他們持續強化的市場策略,進一步擴大在該領域的技術領先優勢。
據了解,台積電在2nm製程節點也將引進GAA電晶體架構,可望顯著降低功耗,提高效能和電晶體密度,帶來質的改變。台積電將在今年12月的IEDM會議上發表的一篇論文,提到了2nm製程節點將HD SRAM位元單元尺寸縮小到約0.0175μm²。這對於非常依賴SRAM密度的現代化CPU、GPU和SoC設計,帶來更大容量的快取來有效提升處理大量資料的能力。