華為宣布最新晶片封裝專利可提高晶片焊接優良率
今日在國家智慧局官網查詢發現,華為技術有限公司日前公告了一項名為「晶片封裝結構、電子設備及晶片封裝結構的製備方法」的專利,授權公告號CN116250066B,申請日期為2020年10月。
專利涉及晶片封裝技術領域,該申請實施例提供一種晶片封裝結構、電子設備及晶片封裝結構的製備方法,主要目的是提供一種能夠比較精準控制黏接膠層厚度尺寸的晶片封裝結構。
據介紹,由於高速數據通訊和人工智慧對算力的需求激增,晶片整合度進一步提升,其中,在晶片尺寸變大的同時,多晶片合封技術也被廣泛採用,進而使整個晶片封裝結構的尺寸在不斷的增大。
隨著晶片封裝結構尺寸變大,晶片與封裝基板的熱膨脹係數失配會讓封裝熱變形控制變得越來越困難,封裝熱變形變大會直接導致整個晶片封裝結構發生較大的翹曲。
據了解,華為申請實施例提供的晶片封裝結構中,由於多個定位塊的任一定位塊的厚度等於粘接膠層的厚度,在製備時將多個定位塊設置在封裝基板上後,再點膠,然後再封裝加強結構,這樣加固結構的朝向封裝基板的面就會抵接在多個定位塊上。
透過定位塊限定了加固結構的位置,進而精準控制黏著膠層的厚度尺寸,若定位塊的厚度和黏接膠層的厚度的設計值相等或相近時,會使最終封裝形成的黏接膠層的厚度與設計值相等或接近。
在確保封裝內應力較小的同時,兼顧翹曲程度不能太大,從而將該晶片封裝結構與PCB焊接時,可提高焊接優良率。
同時,在批量封裝相同規格的晶片封裝結構時,不會出現有些黏接膠層較厚,有些黏接膠層較薄的現象,能夠實現產品結構的統一。