3nm GAA工藝在推出時間上可能已經擊敗了台積電的3nm”N3B”變體，但如果三星不能在客戶向這家韓國巨頭下訂單有意義的地方提高良品率，那麼這將沒有多大意義。 有傳言稱，晶圓代工廠為其第一代和第二代3nm GAA 節點設定的良品率目標是70%，但三星尚未達到這一門檻，這也解釋了為什麼三星未能為這項技術吸引到新客戶。

事實上，有傳言指出第二代3 奈米GAA 的良率非常低，甚至連預期目標的三分之一都沒有達到。

yeux1122 的部落格文章揭露了三星第一代和第二代3nm GAA 製程目前的良品率，情況並不樂觀。 該公司已經獲得了其第一代3nm 技術（也稱為”SF3E-3GAE”）的一些表現數據，其良品率在50%-60% 之間。 雖然這個數字更接近最初的70% 目標，但三星仍需要達到更高水平，客戶才有理由下訂單購買這種光刻技術。

高通Snapdragon 8 Elite 完全採用台積電的3 奈米”N3E”架構進行量產的一個重要原因是三星因良率低而失去了高通的訂單。 至於第二代3 奈米工藝，良品率更差，僅為可怕的20%，不到三星最初目標的三分之一。 在現階段，該公司不太可能因為未能取得任何合理的進展而獲得任何同情者，就連之前向三星下訂單的韓國公司也轉向台積電陣營，購買其更成熟的節點。

從目前的情況來看，3 奈米GAA 技術是三星的心腹大患，這也是三星將資源和人才重點轉向2 奈米節點的原因。 先前有報導稱，三星正在”SF2P”技術上開發一款未命名的Exynos 晶片組，代號為”Ulysses”，該晶片將於2027 年在Galaxy S27 的一款機型上亮相。 簡而言之，三星可能已經找到了另一條生命線，因此它更應該充分利用這個機會。