華為麒麟9100據稱將採用改良的光刻技術量產但不會採用5奈米製程
據傳華為將於本月推出Mate 70 系列手機,並可能在新產品系列中配備名為麒麟9100 的新晶片。 儘管這家前中國巨頭及其目前的代工合作夥伴中芯國際已成功開發出5 奈米製程,但新晶片將不會採用這種技術進行量產。 但它也不會像麒麟9000S 那樣依賴較老的7 奈米工藝,因為最新的規格顯示了CPU 集群、GPU 和採用的光刻技術。
在現階段,華為別無選擇,只能繼續與中芯國際合作,因為目前美國的貿易制裁阻止華為與台積電或三星合作。 這兩家中國公司極有可能閉門合作開發6nm 工藝,因為一位名為@TechHome100的X 用戶透露,麒麟9100 將使用6nm 工藝。
至於”6nm”是行銷術語還是中芯國際的7nm 工藝的實際改進,我們無法確認,但我們之前報道過麒麟9100 可能使用”N+3″節點,它是N+2 的一個更精細的變體,擁有比麒麟9010 更高的密度。
簡而言之,7 奈米節點可能無法使用,因此6 奈米版本意味著中芯國際找到了利用現有DUV 設備增加電晶體密度的方法。 至於麒麟9100 的CPU 集群,該SoC 中可能不會採用華為定制的TaiShan 內核,而是採用單核Cortex-X1,主頻為2.67GHz,另外還有三個主頻為2.32GHz 的Cortex-A78 內核和四個主頻為2.02GHz 的Cortex-A55 高效能核心。 由此看來,華為可能已經放棄了客製化內核,轉而採用ARM 的設計。
至於GPU,麒麟9100 將沿用去年麒麟9000S 的Maleoon 910。 這裡沒有提到核心數量,但考慮到麒麟9000S 配備了四個核心,華為可能會增加核心數量,以在兩代產品之間提供一些差異化。 在性能方面,麒麟9100 無疑會比競爭對手慢一些,但只要它比上一代產品快,這才是真正重要的。
與前代產品參數比較表格如下: