台灣半導體巨頭台積電將在2024 年底前從ASML 接收首批High-NA秒級EUV 光刻設備，這標誌著台積電將向下一代製程過渡。半導體競賽中的”三巨頭”三星、英特爾和台積電都希望獲得ASML 的High-NA設備。

最初有消息稱，台積電並沒有收購ASML High-NA技術的計劃，主要原因是在台積電的台灣工廠整合設備和安置機器的相關成本較高。 但是，先前的一份報告披露，台積電的設施升級計劃正在按部就班地進行，以保持行業平衡。

《日經亞洲》報道稱，台積電的High-NA設備預計將於今年交付，這家台灣巨頭可能將成為首批獲得該設備的公司之一。 據悉，台積電將接收ASML 的Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻設備，其解析度為8 奈米，EUV 光波長為13.5 奈米。 該系統將使晶片製造商生產的晶片體積縮小1.7 倍，電晶體密度提高2.9 倍。 ASML表示，Twins can EXE:5000擁有業界最高的生產力，因此對這家台灣巨頭來說，是成為下一個大贏家的必經之路。

台積電購買單單一台這種機器的成本就高達約3.5 億美元，在實施方面，台積電的High-NA EUV將在該公司計劃於2027年量產的1.4奈米（A14）製程中大顯身手。考慮到英特爾正計劃購買五到六台高NA EUV設備，後者也正全力以赴發展下一代製程。