英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）繼宣布推出全球首塊300 毫米氮化鎵（GaN）功率晶圓和在馬來西亞庫林（Kulim）建成全球最大的200 毫米碳化矽（SiC）功率晶圓廠之後，又揭開了半導體製造技術的新篇章。 其在處理和加工有史以來最薄的矽功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓的厚度僅為20微米，直徑為300 毫米。

英飛凌科技公司執行長約亨-哈內貝克（Jochen Hanebeck）表示：「世界上最薄的矽晶片證明了我們致力於透過推動功率半導體技術的發展，為客戶提供卓越的價值。英飛凌在超薄晶圓技術方面的突破標誌著我們在高能效電源解決方案領域邁出了重要一步，有助於我們充分利用全球去碳化和數位化趨勢的全部潛力。這項創新將大大有助於提高人工智慧資料中心以及消費、馬達控制和運算應用的電源轉換解決方案的能效、功率密度與可靠性。言，更高的電流水平驅動著日益增長的能源需求，這一點在電源轉換中尤其重要。

“新的超薄晶圓技術推動了我們以最節能的方式為從網格到核心的不同人工智慧伺服器配置供電的雄心壯志，”英飛凌電源與感測器系統事業部總裁Adam White 表示。 “隨著人工智慧資料中心的能源需求大幅上升，能源效率變得越來越重要。 對於英飛凌來說，這是一個快速成長的商機。 憑藉中兩位數的成長率，我們預期人工智慧業務將在未來兩年內達到10 億歐元的規模。

為了克服將晶圓厚度降低到20 微米的技術障礙，英飛凌的工程師必須建立一種創新而獨特的晶圓研磨方法，因為將晶片固定在晶圓上的金屬疊層厚度超過20 微米。 這極大地影響了薄晶圓背面的處理和加工。 此外，與技術和生產相關的挑戰，如晶圓弓形和晶圓分離，對確保晶圓穩定性和一流堅固性的後端組裝流程也有重大影響。 20 微米薄晶圓製程以英飛凌現有的製造技術為基礎，確保新技術能夠無縫整合到現有的大批量Si 生產線中，而不會產生額外的製造複雜性，從而保證盡可能高的產量和供應安全性。

英飛凌的整合式智慧功率等級（DC-DC 轉換器）已通過鑑定並應用了該技術，並已交付給首批客戶。 作為與20 微米晶圓技術相關的強大專利組合的持有者，該技術彰顯了英飛凌在半導體製造領域的創新領導地位。 隨著目前超薄晶圓技術的加速發展，英飛凌預計在未來三到四年內，低電壓電源轉換器將取代現有的傳統晶圓技術。

英飛凌將於11月12日至15日在慕尼黑舉辦的electronica 2024展（C3展廳，502展位）上公開展示首款超薄矽晶片。