三星目前正在大量生產今年4 月發布的第9 代V-NAND 快閃記憶體晶片，該晶片的層數達286 層。 根據《韓國經濟日報》報道，該公司的目標是到2026 年至少生產400 層堆疊的V-NAND 快閃記憶體晶片。

2013 年，三星成為首家推出垂直堆疊儲存單元的V-NAND 晶片的公司，以實現容量最大化。 然而，超過300 層的堆疊被證明是一個真正的挑戰，記憶體晶片經常出現損壞的情況。 

據報道，為了解決這個問題，三星正在開發一種改進型第10 代V-NAND 產品，該產品將採用垂直鍵合（BV）NAND 技術。 這種技術的概念是先在不同的層上製造儲存和外圍電路，然後再將它們垂直黏合在一起。 這是目前共封裝（CoP）技術的重大轉變。

 三星表示，新方法將把單位面積的位元密度提高1.6倍（60%），進而提高資料速度。

三星的路線圖雄心勃勃，計劃在2027年推出第11代NAND，預計I/O速率將提高50%，隨後在2030年推出1000層NAND晶片。 其競爭對手SK hynix 也在開發400 層NAND，目標是在2025 年底實現量產，這一點我們在8 月曾經提到過。 

三星是目前HBM 市場的領導者，佔有36.9% 的市場份額，它還計劃在DRAM 領域推出第六代10 奈米DRAM，即1c DRAM，時間是2025 年上半年。 然後，我們可以期待在2026 年看到三星的第七代1d 奈米（仍為10 奈米），到2027 年，該公司希望推出其第一代10 奈米以下的DRAM，即0a DRAM 內存，它將使用垂直通道電晶體(VCT) 3D 結構，類似NAND 快閃記憶體所使用的結構。