在AMD 發布的Ryzen 7 9800X3D 預告材料中，”X3D Reimagined”（X3D 重塑）這一流行語反覆出現，讓我們不禁猜測它可能是什麼。 硬體洩密的可靠消息來源9550pro 稱，AMD 重新設計了CPU 複雜晶片（CCD）和3D V-cache 晶片（L3D）的堆疊方式。

在前幾代X3D 處理器（如5800X3D”Vermeer-X”和7800X3D”Raphael-X”）中，L3D 堆疊在CCD 的頂部。 它堆疊在CCD 中央區域的上方，該區域有32 MB L3 高速緩存，而結構矽塊則放置在CCD 邊緣的上方，該區域有CPU 內核，這些結構矽塊的重要任務是將CPU 內核的熱量傳遞到上方的IHS。

如果洩漏的資訊屬實，那麼AMD 將在9000X3D 系列中倒置CCD-L3D 堆疊，這樣，”Zen 5″CCD 現在位於頂部，L3D 位於其下方，在CCD 的中央區域之下。 現在，CPU 核心向IHS 散熱，就像沒有3D V-cache 技術的普通9000 系列處理器一樣。 

我們認為他們實現這一目標的方法是擴大L3D，使其與CCD 的尺寸一致，並作為一種”基片”。 在L3D 上必須鋪設TSV，將CCD 與下面的玻璃纖維基板連接起來。 我們知道AMD 未來的發展方向。 現在，L3D”基片”包含64 MB 3D V 緩存，它被附加到32 MB 片上L3 緩存中，但在未來（很可能是”Zen 6″），AMD 可能會為每個內核的L2 緩存設計帶有TSV 的CCD。

這一猜測也完美解釋了”X3D boost”的含義。 由於CCD 與IHS 的直接接觸方式與非X3D 處理器相同，因此X3D 處理器可以擁有與普通晶片相同的超頻能力。 由於散熱障礙大大減少，AMD 可以繼續為這些晶片提供與普通晶片相同的TDP 和PPT 值，以及更高的時脈速度。 過去，該公司在X3D 處理器的PPT 和時脈速度方面比較保守。

AMD 預計於2024 年11 月7 日推出Ryzen 7 9800X3D。