近日，我校武漢光電國家研究中心團隊在國內率先攻克合成光阻所需的原料及配方，助推我國晶片製造關鍵原料突破瓶頸。其研發的T150A光阻系列產品已通過半導體製程量產驗證，實現了原料全部國產，配方全自主設計，可望開創國內半導體光刻製造新局面。

光阻是一種感光材料，用於晶片製造的光刻環節，工作原理類似於相機的膠卷曝光。晶片製造時，會在晶圓上塗上光阻，在掩膜版上繪製好電路圖。當光線透過掩膜版照射到光阻上會發生曝光，經過一連串處理後，晶圓上就會得到所需的電路圖。由於光阻是晶片製造的關鍵材料，國外企業對其原料和配方高度保密，目前我國所使用的光阻九成以上依賴進口。

武漢光電國家研究中心團隊研發的這款半導體專用光阻對標國際頭部企業主流KrF光阻系列。相較於國外同系列某產品，T150A在光刻製程表現出的極限解析度達120nm，且製程寬容度較大、穩定性較高、留膜率較優，其對刻蝕製程表現較好，透過驗證發現T150A中密集圖形經過刻蝕，下層介質的側壁垂直度表現優異。

團隊在電子化學品領域深耕二十餘載，立基於關鍵光阻底層技術研究，致力於半導體專用高階電子化學品原料和光阻的開發，並以新技術路線為半導體製造開闢新型先進光刻製造技術，同時為材料的分析與驗證提供全面的手段。

團隊負責人表示：「以光刻技術的分子基礎研究和原料的開發為起點，最終獲得具有自主智慧財產權的配方技術，這只是個開始。我們團隊還會發展一系列應用於不同場景下的KrF與ArF光阻，致力於突破國外卡脖子關鍵技術，為國內相關產業帶來更多驚喜。