國產光阻通過量產驗證:120nm解析度配方全自主設計
根據「中國光谷」公眾號,日前,武漢太紫微光電科技有限公司(以下簡稱「太紫微公司」)推出的T150 A光阻產品,透過半導體製程量產驗證。 T150 A光阻實現配方全自主設計,對標國際頭部企業主流KrF光阻系列。
據介紹,相較於國外同系列產品UV1610,T150 A在光刻製程中表現出的極限解析度達到120nm,且製程寬容度較大,穩定性較高,堅膜後烘留膜率優。
透過驗證發現T150 A中密集圖形經過刻蝕,下層介質的側壁垂直度表現優異。
資料顯示,太紫微公司成立於2024年5月,由華中科技大學武漢光電國家研究中心團隊創立。
光阻又稱光致抗蝕劑,指透過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度改變的耐蝕劑刻薄膜材料。
光阻主要應用於顯示面板、積體電路和半導體分離式元件等細微圖形加工作業。