儲存霸主三星「踏空」人工智慧熱潮? 業績預告令市場大失所望
韓國科技巨擘、全球最大規模記憶體晶片製造商三星電子(Samsung Electronics)公佈的最新業績預告顯示,第三季獲利規模低於市場普遍預期。在周二發布的業績預告中,這家全球頂級記憶體晶片製造商表示,截至9月份的最新季度營業利潤預計約為9.10兆韓元,相比去年的2.43兆韓元激增274%。
然而,這數字並沒有達到LSEG所彙編的經濟學家普遍預期。在近期韓國晶片出口規模激增以及晶片庫存驟降因全球AI熱潮帶來的儲存需求激增背景下,三星營業利潤預期可謂令分析師以及晶片股投資者感到非常失望。
據了解,LSEG所涵蓋的分析師們普遍預計,三星電子截至9月30 日的季度營業利潤約為11.456 萬億韓元(約77 億美元),由於三星業績多個季度顯示出HBM以及數據中心DRAM而NAND未能像競爭對手SK海力士以及美光那樣斬獲龐大利潤增量,一些分析師懷疑三星未能趕上這波史無前例的AI熱潮。根據LSEG彙編的分析師預期,三星本季的總營收規模預計將達到約81.96兆韓元(約610億美元)。
三星副董事長、設備解決方案部門新任負責人Jun Young-hyun甚至在業績預告發布後罕見地發表了致歉聲明,並且表示正在努力解決與HBM等人工智慧晶片產品相關的重大問題。三星在聲明中表示:「包含HBM以及企業級SSD的三星記憶體晶片業務的業績因’一次性成本和巨大的負面影響’而下降,其中包括行動端客戶的庫存調整和亞洲其他的記憶體晶片公司傳統儲存產品的供應增加。
韓國晶片出口與庫存顯示全球儲存需求激增
韓國是世界上最大規模兩家儲存晶片生產商——SK海力士與三星的所在地,三星是記憶體晶片的全球領先製造商也是全球最大規模儲存晶片製造商,儲存晶片用於筆記型電腦和伺服器等設備。三星電子也是世界第二大智慧型手機市場參與者。此外,三星近期正在爭取成為英偉達需求最強大的Hopper架構以及最新Blackwell架構AI GPU的最新一代HBM3E供應商之一。
自2023年以來席捲全球企業的AI熱潮已帶動AI伺服器需求激增,戴爾以及超微電腦等全球頂級資料中心伺服器製造商在其企業級AI伺服器中通常使用三星與美光資料中心DDR系列產品,以及NAND存儲主流應用之一的三星/美光SSD則大量用於運算系統的伺服器主儲存體系,而SK海力士HBM儲存系統則與英偉達AI GPU全面綁定在一起。這也是HBM儲存系統,以及整個DRAM與NAND儲存需求激增的重要邏輯。
從韓國晶片出口資料以及晶片庫存資料來看,記憶體晶片勁爆需求顯得更加清晰明了。韓國政府公佈的數據顯示,儘管成長放緩,9月半導體出口量仍較去年同期大幅成長37%,連續11個月成長,略弱於8月38.8%的漲幅。
8月,韓國晶片產品庫存以2009 年以來最快的速度減少,顯示對人工智慧開發使用的高效能儲存晶片的需求持續存在。數據顯示,韓國晶片庫存較上年同期下降42.6%,降幅高於7月報告的34.3%。產量和出貨量分別成長10.3% 和16.1%,這進一步顯示全球晶片產業繁榮週期在第三季的大部分時間持續。
隨著全球資料中心新建設以及擴建規模在近一年因ChatGPT以及Meta AI等應用帶來的AI算力需求激增而不斷擴大,企業級DRAM以及NAND領域成為全球儲存晶片公司業績成長核心驅動力,三星確實是個重要的領導者,但它的地位不像在智慧型手機與PC等消費性電子領域那樣具有絕對主導優勢。相較於消費級市場,企業級市場的競爭格局更加複雜,主要玩家包括美光、SK海力士、西部數據以及NetApp等。美光以及SK海力士相比於三星在企業級SSD市場中表現更加突出,特別是在資料中心儲存客製化解決方案領域
企業級儲存以及HBM需求火爆,但是儲存巨頭三星似乎未抓住機遇
關於對人工智慧大模型訓練/推理以及英偉達H100、H200以及最新Blackwell架構AI GPU硬體體係而言至關重要的HBM儲存系統,該公司補充表示,向主要大客戶(大概率是英偉達與AMD)運送高頻寬記憶體「HBM3E」儲存系統也出現意外延遲,進一步驗證了市場猜測——即最大規模記憶體晶片製造商目前沒有能拿得出手的HBM拳頭產品,三星可能未能踏上這波HBM需求激增熱潮。
HBM儲存系統與AI晶片霸主英偉達所提供的核心硬體-H100/H200/GB200 AI GPU配合搭載使用,HBM以及AI GPU對於驅動ChatGPT以及Sora等重磅人工智慧應用可謂不可或缺。由於市場對英偉達全線AI GPU產品需求幾乎永無止境,英偉達已成為全球市值最高的晶片公司。 HBM儲存系統可以更快地提供信息,幫助計算系統開發和運行人工智慧大模型。
英偉達H200 AI GPU以及最新基於Blackwell架構的B200/GB200 AI GPU的HBM搭載SK海力士所生產的最新一代HBM儲存系統-HBM3E,另一大HBM3E供應商則是來自美國的儲存巨頭美光,美光HBM3E高機率將搭載英偉達H200以及最新推出的效能無比強勁的B200/GB200 AI GPU。
HBM是一種高頻寬、低能耗的儲存技術,專門用於高效能運算和圖形處理領域。 HBM透過3D堆疊儲存技術,將堆疊的多個DRAM晶片全面連接在一起,透過微細的Through-Silicon Vias(TSVs)進行資料傳輸,從而實現高速高頻寬的資料傳輸。 HBM透過3D堆疊技術,將多個記憶體晶片堆疊在一起,不僅大幅減少了儲存體系空間佔比,也大幅降低了資料傳輸的能耗,高頻寬則能夠顯著提升資料傳輸效率,使得AI大模型能夠24小時不間斷地更有效率地運作。
尤其是HBM儲存系統還具有強大的低延遲特性,能夠快速回應資料存取請求。 GPT-4等生成式AI大模型通常需要頻繁存取大數據集以及進行無比繁重的大模型推理工作負載,強大的低延遲特性能夠極大程度提高AI系統的整體效率和響應速度。在AI基礎設施領域,HBM儲存系統全面綁定英偉達H100 /H200 AI GPU伺服器系統,以及全面綁定即將批量開啟交付的英偉達B200和GB200等AI GPU伺服器系統。
「好吧,讓我們看看這個數字——確實非常令人失望,」來自韓國Yuanta Securities的全球資產配置主管Daniel Yoo表示。他也指出,三星所依賴的PC和智慧型手機中使用的傳統記憶體晶片的需求在全球範圍內並沒有顯著增加。
「三星並沒有像我們過去看到的那樣積極搶佔儲存需求最強勁的新興領域——AI基礎設施領域的儲存晶片市場份額。我認為這是我們看到的大問題,」Yoo補充道。
「公司需要保持其儲存產品供應體系控制的靈活性,因為聚焦個人產品的傳統DRAM市場衰落可能會對三星造成比其規模較小的競爭對手更大的傷害。」來自麥格理證券研究的分析師們在最近的報告中表示。 DRAM通常用於智慧型手機以及個人電腦,企業級的傳統DRAM則用於企業伺服器等領域。
有媒體在9 月引述兩位知情人士的話報道稱,三星已指示其全球子公司將某些部門的員工減少約30%,三星此舉目的在於為成功推出更高性能以及符合英偉達旗艦AI GPU供應資質的HBM,以及需求比消費電子端更強勁的企業級SSD等產品提供充沛的現金流支援。甚至有媒體報告稱,為加速HBM研發以及生產製造和全方位測試等核心技術工作,三星高層甚至強行要求儲存線員工參與加班。
LSEG 統計顯示,三星電子在韓國證券交易所上市的股價今年迄今已下跌22%。該公司將於本月稍後公佈詳細的第三季業績。三星電子股價在發布指引後下跌0.98%。