Rambus 詳細介紹了其下一代HBM4記憶體控制器，與現有的HBM3 和HBM3E 解決方案相比，HBM4 將實現顯著提升。隨著JEDEC 逐步敲定HBM4 記憶體規格，我們獲得了下一代解決方案的第一手細節。 HBM4 記憶體解決方案主要針對人工智慧和資料中心市場，將持續擴展現有HBM DRAM 設計的功能。

從細節入手，Rambus 發布了其HBM4 內存控制器，每引腳速度超過6.4 Gb/s，應該比第一代HBM3 解決方案更快，同時比採用相同16-Hi 堆疊和64 GB 最大容量設計的HBM3E解決方案提供更多頻寬。 HBM4 的起始頻寬為1638 GB/s，比HBM3E 高33%，比HBM3 高2 倍。

目前，HBM3E 解決方案的運行速度高達9.6 Gb/s，每個堆疊的頻寬高達1.229 TB/s。 隨著HBM4 的推出，記憶體解決方案將提供高達10 Gb/s 的速度和每個HBM 介面高達2.56 GB/s 的頻寬。 這將是HBM3E 的2 倍多，但HBM4 記憶體的全部功能還需要一段時間才能顯現，只有在產量提高後才能使用。 HBM4 記憶體解決方案的其他功能包括：ECC、RMW（讀取-修改-寫入）、錯誤擦除等。

據報道，SK Hynix 目前已開始量產其容量高達36 GB、速度為9.6 Gbps 的12 層HBM3E 內存，而其下一代HBM4 內存預計將於本月推出。 同時，三星預計將在2025 年底開始量產HBM4 內存，並預計在本季度推出。

目前，NVIDIA 的Rubin GPU 預計將於2026 年面世，它將成為第一個支援HBM4 記憶體的人工智慧平台，而Instinct MI400 預計也將採用下一代設計，但AMD 尚未證實這一點。