三星下一代HBM4記憶體將於2025年底投入量產下季度完成流片
三星希望在下一代HBM4 記憶體市場佔據領先地位,因為這家韓國巨頭將在今年年底前推出這種尖端技術。在人工智慧熱潮的推動下,HBM 產業發展迅速,需求飆升至新的水平。這促使三星和SK hynix 等公司不斷開發HBM 產品,以迎合目前市場上正處於高峰期的創新需求。
有趣的是,除了這家韓國巨頭正在開發HBM4 內存之外,我們從未真正獲得有關三星HBM4 內存的最新消息,但來自The Elec的一份最新報告披露了三星下一款HBM 產品的相關細節,聲稱該產品已準備就緒,將於2025 年底量產。
據悉,三星已經啟動了圍繞HBM4 的初步工作,預計這家韓國巨頭將在2024 年第四季進入流片階段。流片通常意味著特定產品的設計和生產方法已經敲定,有鑑於此,我們可以斷定三星的HBM4內存將於明年在市場上亮相。
三星的HBM4 預計也將很快進入產品出樣階段,雖然我們還不知道該公司的客戶是誰,但顯而易見英偉達(NVIDIA)和AMD 將是其中的最大潛在買家。
談到三星的HBM4 規格,據說該公司將在其中整合邏輯晶片和半導體晶片,這是業界為提高HBM 功能而發現的一條新道路。據透露,這家韓國巨頭將從代工部門採用自己的4 奈米工藝,並將使用10 奈米第6 代1c DRAM,這是市場上眾所周知的最高端產品之一。有趣的是,據傳SK hynix 也決定採用1c DRAM,這與三星的策略不謀而合,因此競爭非常激烈。
HBM4 將在未來的運算市場中發揮巨大作用,因為它有望被整合到主流的下一代人工智慧產品中,例如英偉達的Rubin 架構和AMD 的MI400 系列。