三星電子（Samsung Electronics）將引進其首個High-NA 0.55 EUV 光刻工具，實現半導體製造技術的重大飛躍。該公司計劃在2024 年第四季至2025 年第一季期間在其華城園區安裝ASML Twinscan EXE:5000 系統，這標誌著其在開髮用於邏輯和DRAM 生產的下一代製程技術方面邁出了關鍵一步。

此舉使三星在採用High-NA EUV 技術方面落後於英特爾一年，但領先競爭對手台積電和SK 海力士。該系統預計將於2025 年中期投入使用，主要用於研發目的。

三星不僅關注光刻設備本身，還在圍繞High-NA EUV 技術建立一個全面的生態系統。該公司正在與幾個重要的合作夥伴合作，如Lasertec（開發用於High-NA光罩的檢測設備）、JSR（開發先進的光阻）、東京電子（增強蝕刻機）和Synopsys（在光罩上轉向曲線圖案，以提高電路精度）。 High-NA EUV 技術有望在晶片製造方面取得重大進展。

與目前的低奈秒超紫外線系統相比，High-NA秒級超紫外線技術具有8 奈米的分辨率能力，可使電晶體的尺寸縮小約1.7 倍，電晶體密度提高近三倍。然而，向高NA EUV過渡也面臨挑戰。這些工具更加昂貴，每件成本高達3.8 億美元，而且成像區域較小。其較大的尺寸也要求晶片製造商重新考慮晶圓廠的佈局。

儘管有這些障礙，三星的目標是到2027 年實現High-NA超高真空技術的商業應用。