根據「復旦大學微電子學院」官微發文，週鵬-劉春森團隊從界面工程出發，在國際上首次實現了最大規模1Kb奈秒超快閃陣列集成驗證，並證明了其超快特性可延伸至亞10奈米。據介紹，人工智慧的快速發展迫切需要高速非揮發性儲存技術，目前主流非揮發性快閃記憶體的程式速度普遍在百微秒級，無法支援應用需求。

研究團隊在前期發現二維半導體結構能夠將其速度提升一千倍以上，實現顛覆性的奈秒超快儲存快閃記憶體技術。但是，實現規模整合、走向實際應用仍具有挑戰。

為此，研究人員開發了超界面工程技術，在規模化二維快閃記憶體中實現了具有原子級平整度的異質介面，結合高精度的表徵技術，顯示整合製程優於國際水準。

研究人員透過嚴格的直流儲存視窗、交流脈衝儲存效能測試，證實了二維新機制快閃存在1Kb儲存規模中，在奈秒非易失程式設計速度下的良率可高達98%，此良率高於國際半導體技術路線圖對快閃記憶體製造89.5%的良率要求。

此外，研究團隊研發了不依賴先進光刻設備的自對準工藝，結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論，成功實現了溝道長度為8奈米的超快閃器件，是目前最短溝道閃存器件，並突破了矽基閃存物理尺寸極限（約15奈米）。

在原子級薄層通道支援下，這款超小尺寸元件具備20奈秒超快程式設計、10年非揮發性、十萬次循環壽命和多態儲存效能。可望推動超快顛覆性快閃記憶體技術產業化。