三星再次回應英偉達HBM3E晶片報告:測試正在「按計畫」進行
三星對有關英偉達測試其高頻寬記憶體晶片(HBM)的媒體報告再度做出了回應,表示測試正在「按計劃」進行。三星的發言人透過電子郵件表示:“三星電子正在通過與各客戶的密切合作優化我們的產品,並按計劃進行測試。”
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上週有報導稱,英偉達已批准三星的8層HBM3E晶片用於其人工智慧處理器。但隨後三星回應稱,這和事實相距甚遠,「我們不能證實與我們客戶相關的傳聞,但這個報道不是真的」。
HBM是動態隨機存取記憶體(DRAM)標準,透過垂直堆疊晶片以節省空間和降低能耗,是人工智慧GPU的關鍵元件,有助於處理複雜應用程式產生的大量資料。 HBM3是目前新一代人工智慧GPU中最常使用的第四代HBM技術標準,HBM3E晶片則使用第五代HBM標準。全球HBM晶片市場由SK海力士、三星主導,其次是美國晶片製造商美光科技。
上個月,英偉達執行長黃仁勳表示,該公司正在評估美光和三星的HBM晶片,以確定它們是否能與SK海力士競爭。