為英偉達(NVDA.US)提供HBM晶片的SK海力​​士表示，已與美國商務部簽署一項初步協議，擬獲得至多4.5億美元的直接融資，並獲得5億美元的潛在貸款，以幫助在印第安納州建立一個半導體封裝生產基地。該公司表示，將透過美國《晶片和科學法案》簽署的非約束性初步備忘錄獲得資金。

另外，SK海力士計劃透過「投資稅收抵免」(Investment tax Credit)計劃，向美國財政部申請最高相當於符合資格的資本支出的25%的稅收優惠。

SK海力士表示，為滿足提供AI記憶體產品的計劃，將按計劃推進印第安納州生產基地的建設。

SK海力士今年4月宣布，計畫投資38.7億美元在美國印第安納州建立先進封裝生產基地。這項措施預計將創造約1000個就業機會。

該巨頭還將與普渡大學等當地研究機構合作，進行半導體研究和開發。 SK海力士CEO郭魯正表示:“我們正與印第安納州、普渡大學、美國企業合作夥伴一起，推進印第安納州生產基地的建設，以最終通過西拉法葉城提供尖端人工智能存儲器產品。”

目前，人工智慧應用領域需求不斷增加，HBM晶片在其中佔據重要地位，值此之際，SK海力士應運大舉投資。

上個月有報道稱，SK海力士計劃在2028年之前投資103萬億韓元(約合748億美元)，以加強其晶片業務，大約80%的資金將用於投資HBM晶片。全球HBM晶片市場由SK海力士、三星主導，其次是美國晶片製造商美光科技(MU.US)。

該公司還決定投資約9.4兆韓元(約68億美元)在韓國龍仁市建立第一家晶片工廠。

《晶片法案》的資助旨在增加美國半導體製造和研究，尤其是在先進半導體方面。目前，包括英特爾(INTC.US)、三星、台積電(TSM.US)和美光在內的多家公司皆透過該法案獲得了大量資金。