中國長鑫儲存開始量產HBM2記憶體比預期大提前
根據DigiTimes 報導,中國領先的記憶體製造商長鑫儲存技術有限公司(CXMT)已開始大規模生產HBM2 記憶體。如果該報道屬實,那麼這家中國公司將比生產這種對尖端人工智慧和高效能運算處理器至關重要的記憶體晶片的預期時間提前兩年左右。
今年早些時候,Tom’s Hardware 報告稱,長鑫儲存開始採購生產高頻寬記憶體(HBM)產品所需的工具;通常至少需要一年(更有可能是兩年)的時間才能開始量產,並達到相當的產量。 CXMT 已經向美國和日本的供應商訂購了設備,包括應用材料(Applied Materials)和Lam Research在內的美國公司已經獲得了供應晶圓廠工具的出口許可。
生產HBM 是一個複雜的過程:顯然,中國對記憶體技術自給自足的願望非常強烈,因此長鑫儲存開始提前生產HBM2 記憶體,儘管產量尚不清楚。
HBM 因其1024 位元寬介面和相對較高的資料傳輸速率(HBM2 的每個引腳傳輸速率約為2 GT/s 至3.2 GT/s)而成為頻寬的佼佼者。寬介面和垂直堆疊設計意味著生產HBM 設備不需要最新的光刻技術,但需要足夠的製造能力:HBM DRAM 積體電路的物理尺寸大於長鑫儲存製造的典型商品DRAM。事實上,全球領先的DRAM 製造商通常使用成熟的技術生產HBM2E 和HBM3 產品,因此可能長鑫儲存也會採用類似的技術。
然而,HBM 的生產需要先進的封裝技術。使用小型矽通孔(TSV)垂直連接8 或12 個儲存裝置是一個複雜的過程。儘管如此,組裝類似HBM 的已知良好堆疊裸片(KGSD) 模組的難度實際上低於使用10 奈米級製程技術製造DRAM 裝置。
目前,長鑫儲存的HBM2 生產仍然落後於美光、三星和SK 海力士等全球競爭對手的DRAM 技術,因為這些公司已經開始量產HBM3 和HBM3E 內存,並準備在未來幾年內量產2048 位接口的HBM4。
但總體而言,對中國而言,HBM2 是其先進AI 和HPC 處理器的關鍵技術。華為的Ascend 910 系列處理器使用了HBM2 內存,在國內生產這種內存對中國科技業來說是一件大事。