SK Hynix 的目標是在2025 年底開始量產400 層NAND，而321 層NAND 則在2025 年上半年投產。透過400 層NAND 實現更高的儲存容量是SK Hynix 的新目標，繼2025 年上半年投產321 層NAND 之後，將於2025 年底投產400 層NAND。

對更高儲存容量的需求永無止境，SK 海力士的新計劃是為未來的儲存驅動器準備400 層NAND，目標是打破記錄。根據Etnews 報道，該公司希望在2025 年底前開始大規模生產這種400 層NAND，並希望在2026 年上半年過渡到全面生產。

然而，製造這種高層NAND 的過程非常複雜，需要多種黏合技術。 SK 海力士已經開始對用於粘合的新材料進行審查，並在研究各種技術，以便透過拋光、蝕刻、沉積和佈線等方法連接不同的晶片。

整個過程需要幾個步驟，如電池結構設計，重點是各層電池的排列和堆疊。然後透過清潔和塗抹薄層SiO2 和Si3N4 來製備矽晶片。然而，當各層透過大量重複逐一堆疊時，這一過程需要異常謹慎。

SK Hynix 已經實現了321 層NAND 工藝，並在2023 年8 月進行了展示，計劃在2025 年上半年開始量產。這將是該公司第一款也是最先進的400 層NAND 產品。儘管如此，SK 海力士並不是這場遊戲的唯一參與者。三星和美光等記憶體巨頭也在增加其NAND 晶片的層數。美光最近推出了一款擁有276 層的高密度NAND，而三星已經開始量產擁有290 層的三層單元第九代垂直NAND。

在FMS 2024展會上，SK hynix將展示下一代人工智慧記憶體產品的樣品，例如預計在第三季量產的12層HBM3E，以及計劃明年上半年出貨的321-high NAND。

三星的目標仍然很高，希望到2030 年生產超過1000 層的NAND。儘管如此，日本公司Kioxia 目前的3D NAND 層數已達到218 層，並計劃在三星之前達到1000 層。

SK 海力士達到400 層的方法是透過”外設下單元”方法將單元堆疊在外設之上。控制儲存單元的外圍電路位於底部，而儲存單元則堆疊在頂部。由於增加層數會產生更多的熱量和壓力，因此這種方法確實會帶來損壞外圍電路的問題。

因此，該公司正計劃採用混合黏合法，即在不同的晶片上製造儲存單元和外圍電路。然後將晶片黏合在一起，以降低損壞風險。透過高層數，NAND 晶片可以儲存更多的數據，而不會增加尺寸。這不僅為緊湊型系統節省了空間，提高了儲存容量，而且使儲存解決方案的價格更加低廉。