Lam Research Corp.今天推出了Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介質蝕刻技術。隨著人工智慧（AI）的普及，人們對更大容量和更高性能的記憶體的需求不斷增長，Lam Cryo 3.0 為未來尖端3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。 Lam Cryo 3.0利用超低溫、高功率封閉等離子反應器技術和表面化學創新，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。

“Lam Cryo 3.0為客戶實現1000層3D NAND鋪平了道路，”Lam Research全球產品部高級副總裁Sesha Varadarajan說。 “我們的最新技術是三維NAND 生產領域的突破。它能以埃級精度創建高寬比（HAR）特徵，同時降低對環境的影響，蝕刻速度是傳統介電製程的兩倍多。Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智慧時代關鍵NAND 製造障礙所需的蝕刻技術。

迄今為止，3D NAND主要是透過垂直層儲存單元的堆疊來實現的，而這是透過蝕刻深而窄的HAR儲存通道來實現的。這些特徵與目標輪廓之間微小的原子級偏差會對晶片的電氣性能產生負面影響，並可能影響良率。 Lam Cryo 3.0經過最佳化，能夠解決這些問題以及其他蝕刻難題。

“人工智慧正在推動雲端和邊緣對快閃記憶體容量和性能的指數級需求。”Counterpoint Research聯合創始人兼研究副總裁Neil Shah表示：”這迫使晶片製造商擴大NAND快閃記憶體的規模，力爭在2030年底實現1000層3D NAND。 “Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術是超越傳統技術的重大飛躍。它能以近乎完美的精度和控制能力蝕刻比其寬度深50 倍以上的記憶體通道，實現小於0.1% 的輪廓偏差。這項突破大大提高了先進3D NAND 的良率和整體性能。 “

Lam Cryo 3.0利用該公司獨特的高功率封閉等離子反應器、製程改良和遠低於攝氏零下度的溫度，實現了對新型蝕刻化學物質的利用。當與Lam 公司最新Vantex 介電系統的可擴展脈衝等離子體技術相結合時，蝕刻深度和剖面控制得到顯著提高。利用Lam Cryo 3.0 技術，三維NAND 製造商可以蝕刻深度達10 微米的記憶體通道，而特徵的臨界尺寸從頂部到底部的偏差小於0.1%。

其他亮點包括：

• 生產率：與傳統介電製程相比，Lam Cryo 3.0 的蝕刻速度快兩倍半，晶圓間重複性更好，有助於3D NAND 製造商以更低的成本實現高產量。
• 永續性：與傳統蝕刻製程相比，Lam Cryo 3.0蝕刻製程的單晶片能耗降低了40%，排放量減少了90%。
• 設備投資最大化：Lam Cryo 3.0可整合到Lam公司最新的Vantex系統中，以實現最佳的剖面控制以及最快、最深的介質蝕刻。它還與該公司的Flex HAR 介質蝕刻機產品組合相容，所有主要記憶體製造商都使用該設備進行3D NAND 量產。

Lam Cryo 3.0 進一步擴展了該公司在晶圓製造蝕刻技術領域二十年的領先地位，其中包括七代3D NAND。 Lam 於2019 年推出了全球首款投入量產的低溫蝕刻產品。在目前用於NAND 生產的7500 多個Lam HAR 介質蝕刻室中，有近1000 個使用了低溫刻蝕技術。

Lam Cryo 3.0現已向領先的記憶體製造商推出。它是Lam 用於3D NAND 製造的蝕刻、沉積和清潔解決方案廣泛產品組合的最新成員。