讓華為得以擺脫美國貿易禁令的麒麟9000S 採用中芯國際的7 奈米（N+2）技術批量生產，而華為Pura 70 系列中的麒麟9010則保持了這一勢頭。關於Mate 70 系列，傳言已從多個方向傳播，有小道消息稱這家前中國巨頭將使用中芯國際的5 奈米工藝，據說該半導體製造商已成功開發出這種工藝。然而，華為的計劃似乎出現了轉折，一則傳言稱，為Mate 70 系列提供動力的下一代麒麟SoC 將採用中芯國際的N+3 工藝批量生產，該工藝與N+2 工藝相比密度更高。

新的麒麟系統晶片可能仍然僅限於中芯國際的7 奈米工藝，但採用了更多的晶體管，與先前發布的晶片組相比具有一些優勢。

先前有傳言稱，Mate 70 系列不會過渡到中芯國際的5nm 工藝，麒麟9100 預計將繼續沿用7nm工藝。雖然這聽起來令人無比失望，但華為做出這項決定很可能有其現實原因。用老式的DUV 機器而不是EUV 設備批量生產5nm 晶圓意味著生產成本會很高，產量會很低。簡而言之，中芯國際生產基地每一塊5nm 晶圓的成本都將非常昂貴，因此華為可能認為，在智慧型手機晶片組上使用這種技術的成本並不划算。這項挫折意味著麒麟9100 可以採用7 奈米製程製造，但使用N+3 節點，其密度可以高於麒麟9010 和麒麟9000S。這項改進意味著麒麟9100 將擁有更多的晶體管，從而獲得更好的”每瓦性能”和更高的能效。

除了即將為Mate 70 系列提供動力的晶片外，據傳華為也在為其基於ARM 的硬體測試相同的N+3 技術。遺憾的是，在光刻技術方面，華為可能無法快速彌補性能差距，台積電的第一波3 奈米”N3E”晶片組（如驍龍8 Gen 4、Dimensity 9400 和蘋果的A18）將於今年晚點時候推出。