先前有報導稱，中國最大的半導體製造商中芯國際在沒有使用先進的EUV 機器的情況下成功開發了5 奈米製程。從已取得的成果來看，尤其是在美國貿易禁令生效的情況下，這項宣布顯然是一項突破，並將允許華為為其即將推出的智慧型手機系列Mate 70 添加下一代麒麟晶片。不幸的是，一位爆料者否認了這些說法，稱麒麟9100（據說是華為下一代SoC 的名稱）不會在5nm 節點上製造。

根據這項傳言，華為Mate 70 的麒麟9100 可能繼續採用中芯國際的7 奈米製造製程。

據說華為早些時候已成功實現了其晶片組在5 奈米製程上的導流片（tape-out），這是晶片製造的最後階段，之後整個設計將被送往代工廠進行批量生產。然而，華為的道路上還存在許多障礙，其中最大的障礙之一就是使用老式設備批量生產5 奈米晶圓。根據先前的報告，中芯國際的5nm 節點將比台積電在相同光刻製程下的5nm 節點成本高出50%，因為缺乏EUV 機器會導致生產成本升高、產量降低。

這些障礙可能是@myplace_myworld 在X 上評論麒麟9100 不會使用5nm 技術的原因。他也駁斥了其餘所有關於麒麟9100 的密度比麒麟9000S 高43%，同時能效接近高通驍龍8 Gen 3 的說法。假設最新傳言屬實，這可能意味著華為和中芯國際正努力生產其5nm 製程的任何有意義的產量，而且成本過高，無法證明其用於大規模生產麒麟9100 的合理性。

簡而言之，華為可能別無選擇，只能繼續採用7 奈米工藝，進一步拉大與競爭對手之間的技術差距。這位前中國巨頭的高層先前曾提到，美國的製裁阻礙了華為從台積電獲得最先進的3.5奈米技術，並強調需要有效利用中芯國際的7 奈米節點。這些資訊可能暗示了華為所面臨的困境，但我們將繼續期待今年稍後發布的麒麟9100，並希望它能提供一些競爭優勢。