英國QuInAs Technology近日宣布，公司已獲得Innovate UK基金會的110萬英鎊（約1038萬元人民幣）資助，用於推動UltraRAM記憶體技術的量產化進程。這筆資金將用於將UltraRAM晶圓直徑由3英寸擴大到6英寸，下一階段目標是在完整的8英寸晶圓上製造，然後將該工藝轉化為適合晶圓廠的工業工藝。

這項技術由英國蘭開斯特大學和華威大學的物理學家共同開發，旨在將非揮發性快閃NAND與揮發性記憶體RAM的優勢結合，創造出一種超高效、高耐用性的新型儲存解決方案。

UltraRAM的核心優勢在於其超長的寫入壽命和資料保持能力，QuInAs聲稱，UltraRAM技術最高可承受1000萬次的重寫循環，同時儲存到UltraRAM單元中的電荷可以保持1000年不洩漏。

同時UltraRAM的能源效率比DRAM高出100倍，比3D NAND高出1000倍。

UltraRAM的創新之處在於其三層浮動閥的設計，由砷化銦和銻化鋁（InAs/AlSb）材料製成，這種結構不僅確保了能源效率，還提供了優秀的資料保護。

在讀取操作中，UltraRAM採用非破壞性方式，電子在共振時穿過三重勢壘進入單元，擦除過程中則以相同的方式退出，這種機制使得寫入過程極為節能。