三星電子計畫利用其尖端的4nm代工製程量產下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片HBM4，這是驅動人工智慧（AI）設備的核心晶片，以對抗該領域的更大競爭對手SK海力士和台積電。

業內消息人士表示，三星將利用4nm代工製程製造第六代HBM4的邏輯晶片。邏輯晶片位於晶片堆疊的底部，是控制DRAM的HBM晶片的核心組件。

儲存晶片製造商已經為HBM3E等現有產品製造邏輯晶片，但第六代型號需要經過代工工藝，因為它配備了客戶所需的客製化功能。

4nm是三星標誌性的晶片代工工藝，良率超過70%。三星電子將此製程用於Exynos 2400晶片，這是其旗艦AI智慧型手機Galaxy S24系列的驅動核心之一。

業內人士表示：“4nm成本比7nm和8nm高得多，但在晶片性能和功耗方面卻明顯優於它們。三星以10nm製程製造HBM3E，並希望透過應用4nm製程在HBM領域佔據王位。”

三星電子原本預計將使用7nm或8nm代工製程生產HBM4邏輯晶片。據了解，三星自2019年起開始量產7nm製程。

三星借助4nm製程與SK海力士和台積電展開競爭，這兩家公司聯手加強在快速成長的AI晶片市場的地位。

英偉達控制AI運算任務核心圖形處理單元（GPU）80%以上的市場。三星決定利用其儲存業務和代工部門合作設計和製造代工和HBM晶片的能力，來應對英偉達兩大供應商的合作夥伴關係。

自2023年開始應用的4nm製程需要複雜的技術和比舊製程多一倍的資源，但它可以製造高效能、低功耗的晶片。三星的目標是開發配備高性能邏輯晶片的HBM4晶片，並擊敗競爭對手。

英偉達和AMD等客戶已要求供應商開發能夠以低功耗快速處理大量資料的HBM晶片。這就是AI加速器，它是一種高性能並行計算機，專門設計用於高效處理耗電量很大的AI工作負載（如神經網路）。

三星預計4nm代工製程將促進此類HBM晶片的生產並在產業中佔據主導地位。該公司計劃從邏輯晶片的設計階段開始尋求最佳化，以透過其無晶圓廠系統LSI部門最大限度地提高HBM4晶片的性能。

「與台積電等不同，讓晶片設計師參與HBM4生產是我們的獨特優勢。」三星一位高層表示。據業內人士透露，三星已將系統LSI部門的員工派往最近成立的HBM開發團隊。

台積電等已採取措施應對三星計劃，將在原計劃12nm製程之外，增加5nm製程來製造HBM4邏輯晶片。兩家公司還增加了人才庫，以提高HBM4性能，例如聘請經驗豐富的邏輯設計工程師。