全球記憶體晶片巨頭三星電子（Samsung Electronics ）的工會員工們週一開始為期三天的罷工，紛紛要求三星提高工資待遇，他們所在的工會表示，如果薪資要求得不到滿足，將對這家韓國最大規模的企業集團採取進一步行動。

據了解，這也是三星電子成立55年以來規模最大的罷工行動，三星電子乃全球記憶體晶片市場份額最高的領導者，這次罷工可能對全球記憶體晶片供應造成一定程度影響，自今年以來的這波DRAM與NAND記憶體晶片漲價浪潮可能停不下來。

據了解，韓國最規模工會之一的三星電子工會（NSEU）大約3萬名成員佔三星電子韓國員工總數的約24%，該工會希望公司對於工會的員工給予更多的年假，並且希望改變員工獎金制度。

然而，有分析師對此表示，低參與率和自動化生產規模意味著這次大規模罷工不太可能對這家全球最大儲存晶片製造商的產量產生重大性質的影響，但不排除記憶體晶片繼續上漲價趨勢。此外，隨著全球科技公司紛紛擁抱人工智慧，在晶片產業的關鍵產能提升和創新時刻，這標誌著三星電子員工忠誠度明顯下降。

上個月，工會進行了第一次勞工罷工行動，主要是協調更多的年假，有效地發動了大規模罷工。三星電子在當時表示，這項罷工行動對商業活動沒有重大影響。但該公司拒絕就週一的罷工置評。

該工會並未透露上個月具體的工人罷工情況。該工會近日表示，本週將有6,540名工人參加現場罷工集會，主要集中在三星電子的生產基地和產品開發部門，還包括監控自動化生產線和設備的工人，因此可能會影響正常的生產運作。週一，工人們聚集在首爾以南華城的三星總部附​​近。

工會主席Son Woo-mok反駁了媒體關於低參與率的報道，他告訴媒體，這個五年前成立的新工會沒有足夠的時間來教育普通工會成員。

“對工會成員和僱員的工會教育還不夠。但我不認為參與率低，因為我們的工會與其他工會相比還很年輕。”

工會高級領導人Lee Hyun-kuk上週曾表示，如果這次的要求得不到滿足，可能還會出現新一輪大規模罷工。這位高級領導人表示，三星方面的提議包括提高薪資和年假條件的彈性，但並未滿足工會增加薪資和更多休假的要求。

此外，工會官員堅稱三星電子的獎金制度非常不公平，因為它是透過從營業利潤中扣除資本成本來進行計算，而高階主管的獎金則基於個人績效目標。 。

自從這家韓國科技巨頭在2020年承諾不再阻礙組織勞工的發展以來，三星工會的成員人數大幅增加。

有分析師表示，這一成長顯示員工忠誠度下降，這是三星在人工智慧（AI）應用晶片競爭中面臨的除HBM認證資質以外的另一個難題。

「我告訴人們，我為在三星電子工作而感到自豪，但事實並非如此，」20 歲的Park Jun-ha接受採訪時說道。他是三星晶片先進封裝線的重要工程師，於今年1 月加入該公司。他還表示，自己對三星「不透明」的獎金計畫感到不滿。

AI熱潮刺激儲存需求激增，三星電子Q2利潤料迎來爆炸性成長

上週五，三星電子預計第二季營業利潤將成長逾15倍，因為人工智慧熱潮推動HBM儲存系統，以及更廣泛的DRAM和NAND儲存價格大幅反彈，提振了一年前較低的比較基數。儘管如此，其股價表現，以及HBM認證進度仍遠遠落後於同類型晶片的競爭對手SK海力士（SK Hynix）。

三星電子公佈了多年來最快的銷售和利潤成長速度，反映出隨著全球人工智慧發展加速，儲存晶片需求呈現激增態勢。在全球企業紛紛斥巨資佈局AI的這股狂熱浪潮中，儲存需求可謂邁入迅猛成長階段。

這家全球最大規模記憶體晶片以及智慧型手機製造商上週五公佈，截至6月30日的第二季初步統計業績顯示，營業利潤成長逾15倍，至10.4兆韓元（合75億美元），大幅超出市場預期。銷售額成長約23%，是自2021年新冠疫情以來的最大增幅。三星電子將於7月31日公佈包括各部門詳細數據在內的最終業績。

隨著人工智慧技術發展迭代，全球企業對儲存晶片需求激增。 SK海力士已成為英偉達核心的HBM供應商，三星也在力爭加入這一行列。

在目前儲存領域最火熱的HBM市場方面，截至2022年，三大原廠HBM市佔率分別為SK海力士50%、三星電子約40%、美光約10%，由於SK海力士在HBM領域最早發力，早在2016年已涉足這一領域，因此佔據著絕大多數市場份額。有業內人士表示，2023年SK海力士HBM市佔率分佈將在55%左右，名列絕對主導地位。

三星電子在記憶體晶片領域堪稱最核心地位

韓國是世界上最大規模兩家記憶體晶片生產商－SK海力士與三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已成為英偉達最核心的HBM供應商，英偉達H100 AI GPU所搭載的正是SK海力士生產的HBM儲存系統。此外，英偉達H200 AI GPU以及最新基於Blackwell架構的B200/GB200 AI GPU的HBM也將搭載SK海力士所生產的最新一代HBM儲存系統－HBM3E，另一大HBM3E供應商則是來自美國的存儲巨頭美光，美光HBM3E大機率將搭載英偉達H200以及最新推出的性能無比強勁的B200/GB200 AI GPU。

另一大來自韓國的儲存巨頭三星，則是全球最大規模的DRAM與NAND記憶體晶片供應商，近期也在爭取成為英偉達HBM以及更新一代的HBM3E供應商之一。三星在DRAM主流應用之一的DDR系列記憶體晶片領域（如DDR4、DDR5） 以及NAND儲存主流應用之一的SSD，市佔率遙遙領先其他記憶體晶片製造商。不同於HBM大規模應用於AI資料中心，DDR系列儲存主要用於PC系統的主記憶體，提供足夠的記憶體容量和頻寬，支援多工處理和消費性電子端資料集的處理，LPDDR（Low Power DDR）系列則應用於智慧型手機端。

從上圖能夠看出，韓國企業在儲存市場佔據主導地位，三星電子和SK海力士佔據全球記憶體晶片市場絕大多數份額，其中三星電子佔比甚至接近50%。

自2023年以來席捲全球企業的AI熱潮已帶動AI伺服器需求激增，戴爾科技（DELL.US）以及超微電腦（SMCI.US）等全球頂級資料中心伺服器製造商在其AI伺服器中通常使用三星與美光DDR系列產品，以及NAND儲存主流應用之一的三星/美光SSD則大量用於運算系統的伺服器主儲存體系，而SK海力士HBM儲存系統則與英偉達AI GPU全面綁定在一起使用。

DRAM主要用於運算系統的主記憶器，為CPU和GPU提供臨時資料儲存和中間運算結果，以及資料載入和預處理。雖然NAND儲存的讀寫速度不如整個DRAM以及歸屬於DRAM細分領域的HBM，但其容量大、成本低，是長時間儲存資料的理想選擇，在生成式AI運算系統中，NAND通常用於保存規模龐大的訓練/推理資料集和已訓練模型，當需要進行訓練或再推理負載時，將資料極速載入到DRAM或HBM中進行處理。這也是HBM儲存系統，以及整個DRAM與NAND儲存需求激增的重要邏輯。

隨著全球記憶體晶片持續復甦，主流記憶體晶片廠商已經率先開啟了漲價模式，TrendForce集邦諮詢最新調查顯示，第二季整個DRAM合約價格環比漲幅高達13%-18%。有業內人士表示，從2023年年底開始，全球半導體儲存產業逐步進入上行週期，今年已多次收到上游記憶體晶片廠提高合約價的通知。伺服器製造商戴爾近日預計DRAM和SSD價格將在下半年上漲15%至20%。

此外，受AI資料中心對大容量NAND需求的推動，以及蘋果Apple Intelligence所引領的端側AI大模型融入消費電子端的熱潮，也有望推動DRAM與NAND需求邁入激增階段，近期三星電子和SK海力士已將NAND工廠的開工率由去年的20-30%升至70%以上。