據媒體報道，三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發團隊”，這一戰略舉措標誌著三星在高性能內存（HBM）技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。該團隊將專注於前沿技術的研發，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術，旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市場份額。

回顧過往，三星自2015年起便在DRAM部門內部深耕HBM技術的藍海，不僅設立了專案團隊，還成立了特別工作小組，持續推動技術創新與突破。此次組織架構的升級，無疑是對過往努力的深化與加強，彰顯了三星對HBM技術未來發展的堅定信心。

為了加速搶佔高附加價值DRAM市場的製高點，三星展現出了驚人的研發速度與執行力。今年年初，三星便宣布成功研發出HBM3E 12H DRAM，並緊接著在四月實現了HBM3E 8H DRAM的量產，這一系列成就不僅體現了三星的技術實力，也為其在HBM領域的領先地位奠定了堅實基礎。

值得注意的是，三星與英偉達等產業巨頭的合作也不斷深入。自去年起，三星積極向英偉達提供HBM3E樣品進行嚴苛驗證，涵蓋8層與12層堆疊技術，雖歷經挑戰但進展顯著，預計將在今年第三季末迎來部分驗證工作的圓滿完成，這項合作無疑將加速HBM技術在高階運算領域的普及與應用。

此外，三星也透過官方管道分享了HBM產品的最新研發進展，並明確透露了HBM4技術的研發時間表，即計劃於2025年首次亮相。這項消息不僅引發了業界的廣泛關注，也進一步激發了市場對未來高效能運算、人工智慧等領域技術革新的期待。

更有傳言指出，三星正考慮在HBM4中引入革命性的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術，以優化高溫環境下的熱特性，進一步提升產品的穩定性和可靠性，這將是對現有技術邊界的另一個勇敢探索。