三星在其第9代V-NAND快閃記憶體技術的革新中，巧妙地在金屬化工藝環節引入了鉬（Mo）作為替代材料，與之並行的另一路徑則繼續沿用傳統的鎢材料。面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉向鉬，這一轉變不僅有望實現層高30%至40%的進一步縮減，還能顯著降低NAND閃存的響應時間，為資料儲存領域帶來前所未有的效能飛躍。三星的這項決策，預示著NAND材料供應鏈即將迎來深刻的變革與重塑。

值得注意的是，鉬材料的引入並非易事，它要求生產設備能夠耐高溫處理，將固態鉬原料加熱至600℃以轉化為氣態，這與六氟化鎢（WF6）的處理方式截然不同。

為此，三星已積極行動，從Lam Research公司引入了首批5台Mo沉積機，並規劃在未來一年內再增購20台，以加速其鉬基NAND的生產佈局。

供應鏈方面，三星正與多家領先供應商緊密合作，包括Entegris和Air Liquide，以確保穩定的鉬源供應。同時，Merck等公司也積極回應，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了業界對新技術路徑的廣泛支持與期待。

此外，SK海力士、美光和鎧俠等業界巨頭也紛紛跟進，探索在NAND生產中採用鉬材料的可行性，共同推動半導體材料的革新進程。

然而，鉬材料的採用也伴隨著成本的提升，其市場價格相較於六氟化鎢高出近十倍。儘管如此，鑑於其在提升性能方面的顯著優勢，以及未來在DRAM和邏輯晶片領域的潛在應用前景，鉬材料正成為許多企業競相追逐的新寵。這一趨勢預示著六氟化鎢市場將面臨不可避免的收縮壓力，而含鉬材料的市場則將迅速崛起。