日本記憶體製造商Kioxia 有一些令人鼓舞的消息，可以提高固態硬碟的密度。在首爾舉行的國際記憶體技術研討會上，該公司提出了一個雄心勃勃的路線圖，即到2027 年，3D NAND 快閃記憶體將達到驚人的1000 層。但要達到這個目標並非易事。

日本媒體PC Watch 對Kioxia 的預測進行了報道，該預測從過去的趨勢出發，對現有的NAND 單元技術進行了改進。該公司預計，三年後NAND 晶片密度將達到100 Gbit/mm²，儲存單元層數將達到1000 層。要實現這一目標，必須維持每年1.33 倍的成長速度。

3D NAND 的層數正在迅速增加，從2014 年的24 層增加到2022 年的238 層，在不到十年的時間內增加了十倍。去年，SK Hynix 甚至展示了321 層1 Tb TLC 4D NAND 晶片樣品。

然而，要達到四位數的層數並非易事。根據儲存新聞網站Blocks & Files 報導，利用3D NAND 實現更高密度並不僅僅是在晶片上增加層數。每一層都需要一個外露的邊緣來實現儲存單元之間的連接，從而形成一個類似樓梯的晶片外形。因此，隨著層數的增加，階梯結構所消耗的面積也會大幅增加，抵銷了部分密度的提升。

為了彌補這一不足，記憶體製造商需要在垂直和水平上縮小NAND 單元，同時過渡到QLC NAND，與目前的TLC 技術相比，每個單元封裝4 位元。隨著層數的增加，通道電阻和訊號雜訊也會成為成長的煩惱。

雖然Kioxia 對這些技術障礙提出了合理的解決方案，但在財務方面，這種積極推進的可行性仍然是一個迫在眉睫的問題。

據報道，Kioxia 的生產合作夥伴西部數據（Western Digital）對NAND 晶圓廠成本膨脹超過收入成長表示擔憂。兩家公司已經發布了擁有218 層樓的BiCS 8 技術，並討論了多達400 多層的BiCS 9 和10 技術。不過，1000 層節點似乎是個雄心勃勃的長期目標，可能會考驗西部數據對大量晶圓廠投資的胃口。

Kioxia 將採取何種措施來實現其記憶體密度夢想，我們拭目以待。這家製造商目前正與三星公司展開激烈競爭，因此1000 層的目標非常有利可圖。與西部數據就未來NAND 擴展節點的速度和時間進行的艱難談判可能還在後面。