日，AMD CEO蘇姿豐在比利時Imec ITF World 2024大會上揭露，AMD計畫採用3nm環繞閘極（GAA）技術量產下一代晶片。蘇姿豐當時說，3nm GAA電晶體可提升效率及效能，封裝、互連（interconnect）技術也有改善，這會讓AMD產品變得更具成本效益、功耗效率（power efficiency）也較高。

目前，三星電子是唯一商業化GAA 3nm晶片加工技術的晶片製造商，並於2023年成為全球首家將3nm製程節點應用至GAA電晶體架構的廠商。

這也被解讀為AMD將與三星合作開發3nm GAA技術晶片，這項合作可能將有助於AMD在成本效益和能源效率方面取得優勢。

同時，台積電的3nm產能已被蘋果、高通等大客戶全包下。台積電計畫從2nm節點開始將GAA技術應用於其晶片製造工藝，預計於2027年達到1.6nm製程節點，並在2027-2028年左右開始量產1.4nm製程。

業界分析師指出，如果AMD與三星在3nm節點技術上合作，這將有助於三星縮小其在代工市場與台積電之間的市場份額差距。

長期以來，三星與AMD一直在圖形處理單元（GPU）和高頻寬記憶體（HBM）晶片方面進行合作，HBM近期成為人工智慧設備的熱門DRAM。

去年，三星和AMD簽署了一份多年期合作擴展協議，將AMD的多代高效能、超低功耗的Radeon影像銳利化功能引入三星Exynos應用處理器產品組合中。作為更廣泛合作的一部分，三星還同意向AMD提供HBM晶片和一站式封裝服務。