SK hynix 計劃在下一代HBM4E 記憶體中整合更多功能，從而將HBM 產業推向一個新的高度。隨著HBM 市場的競爭空前激烈，這家韓國製造商似乎已經找到了脫穎而出的方法，他們計劃推出一種可以實現運算、高速緩存和網路記憶體等多種功能的HBM 類型。

由於目前這只是一個概念，SK hynix 已經開始確保半導體設計IP 以實現其目的。

根據韓國媒體ET News報道，雖然有關工藝的細節還不多，但SK hynix計劃通過其即將推出的HBM4架構為多用途HBM奠定基礎，因為這家韓國巨頭將在板上集成內存控制器，併計劃透過其第七代HBM4E記憶體帶來新的計算選擇。 SK hynix 將把記憶體控制器置於其HBM 結構的基礎晶片上，這將提高能源效率和訊號傳輸速度。

至於新增功能對計算市場的影響有多大，我們還不能確定，但它肯定會提高效能，因為這種方法偏離了業界的傳統做法，即對HBM 和半導體進行不同的處理。然而，透過SK hynix 的技術，封裝後將成為一個整體，這不僅能確保更快的傳輸速度，因為結構間隙將大大減少，而且還能帶來更高的能源效率。

SK hynix 希望快速推進其下一代HBM 概念，因為該公司已經與台積電結盟，以處理其結構中的半導體部分。這家韓國巨頭希望藉此在三星（Samsung）和美光（Micron）等競爭對手中遙遙領先，同時確保HBM 產業的持續創新。