台積電一直堅持認為，沒有ASML 最新的高數值孔徑EUV微影機也可以過得很好。但現在，這家合約晶片製造商似乎對這一明確的立場有了新的想法，其執行長秘密訪問ASML 總部就表明了這一點。

台積電的宿敵英特爾公司（Intel）希望在新興的高數值孔徑超紫外光刻（High-NA EUV lithography）領域中取得不可逾越的領先地位。事實上，首批幾台這樣的機器全部出貨給了英特爾的晶片製造部門。英特爾打算在其即將推出的18A（1.8 奈米）製程節點參數範圍內試驗高納極致紫外線（EUV）光刻技術，然後再將其正式納入14A（1.4 奈米）製造製程。

相較之下，台積電公開表示，其現有的低噪點EUV 光刻機陣容可支援生產到2026 年。對於即將到來的A16 製程節點，該公司顯然滿足於現有的製程改進，包括提高生產效率的多重光罩和先進的基於奈米片的電晶體設計。這家台灣晶片製造商似乎還在依靠背面供電來提升其產品在人工智慧工作負載方面的效能。

這就是問題的關鍵。 5 月26 日，台積電執行長魏哲家沒有出席2024 年技術研討會，而是秘密訪問了ASML 位於荷蘭的總部。根據Business Korea的報導，從ASML 執行長Christopher Fuke 和通快集團執行長Nicola Leibinger-Kammüller 的社群媒體貼文中可以了解魏訪問的一些細節。

根據台積電的既定計劃，這家合約晶片製造商希望在推出基於1.6 奈米的產品後，才採用高數值孔徑EUV 光刻技術。然而，魏哲家對ASML 總部的秘密訪問卻讓人頗感意外，尤其是這顯示台積電目前的發展軌跡存在暗流，或許正在未來的營運策略上進行更廣泛的檢討。