台積電上周宣布，該公司將於今年稍晚開始大批量生產其N3P 製造工藝，這將是該公司一段時間內最先進的節點。明年的情況將變得更加有趣，因為台積電將擁有兩種製程技術，當它們在2025 年下半年進入大批量生產（HVM）時，實際上可能會產生內部的相互競爭。

*台積電公佈的晶片密度反映了由50% 邏輯、30% SRAM 和20% 模擬組成的”混合”晶片密度。

**面積相同。

***速度相同。

生產節點包括N3X（3 奈米級，注重極高性能）和N2（2 奈米級）。台積電表示，與N3P 相比，N3X 晶片透過將Vdd 從1.0V 降至0.9V，可在相同頻率下將功耗降低7%，在相同面積下將性能提高5%，或在相同頻率下將電晶體密度提高約10%。同時，與前代產品相比，N3X 的主要優勢在於其1.2V 的最高電壓，這對於桌面或資料中心GPU 等超高效能應用非常重要。

台積電的N2 將是台積電首個使用全閘極（GAA）奈米片電晶體的生產節點，這將顯著提高其性能、功耗和麵積（PPA）特性。與N3E 相比，在N3 上生產的半導體可將功耗降低25% – 30%（在晶體管數量和頻率相同的情況下），將性能提高10% – 15%（在晶體管數量和功耗相同的情況下），並將電晶體密度提高15%（在速度和功耗相同的情況下）。

就功耗和電晶體密度而言，N2 肯定是台積電無可爭議的冠軍，但就性能而言，特別是在高電壓下，N3X 有可能向其發起挑戰。對於許多客戶來說，N3X 也將因使用成熟的FinFET 電晶體而受益，因此在2025 年下半年，N2 不會自動成為台積電最好的節點。

2026: N2P 和A16

下一年，台積電將再次推出兩個節點，分別針對大致相同的智慧型手機和高效能運算應用：N2P（性能增強型2 奈米級）和A16（具有背面功率傳輸功能的1.6 奈米級）。

與最初的N2 相比，N2P 的功耗預計將降低5%-10%（速度和電晶體數量相同），效能提升5%-10%（功耗和電晶體數量相同）。同時，與N2P 相比，A16 的功耗最多可降低20%（速度和電晶體數相同），效能最多可提高10%（功耗和電晶體數相同），電晶體密度最多可提高10%。

考慮到A16 具有增強的背面功率傳輸網絡，它很可能成為注重性能的晶片設計人員的首選節點。當然，由於背面功率傳輸需要額外的製程步驟，因此使用A16 的成本會更高。