高數值孔徑（ High -NA ） EUV 微影機剛起步， ASML 又開始致力於開發超數孔徑Hyper-NA EUV 微影機。 ASML 名譽技術長Martin van den Brink在安特衛普舉行的Imec技術論壇（ITF）上發表演講時透露了公司的未來規劃。

 他表示，在未來十年內，ASML將建構一個整合低數值孔徑、高數值孔徑和超數孔徑EUV系統的單一平台。這項措施被視為減少製程步驟數量、降低晶圓加工成本和能源消耗的關鍵。

Van den Brink進一步強調了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能夠簡化複雜的雙重圖案工藝，降低生產難度。他解釋說，這種高分辨率工具的可用性對於半導體製造業至關重要。

值得注意的是，高數值孔徑EUV（high-NA）微影技術目前正處於起步階段。 ASML自去年12月開始出貨高數值孔徑工具，目前僅英特爾一家採用，而台積電則表示短期內不會採用。為了推動該技術的研發和應用，ASML將在幾週內正式在費爾德霍芬開設高數值孔徑實驗室，該實驗室將與Imec共同運營，為晶片製造商提供該工具的早期使用權。

事實上，該實驗室的系統已經投入使用，並成功列印了有史以來第一個10奈米線陣圖案。根據Van den Brink的最新更新，該系統已經能夠產生8nm線陣圖案，接近該工具的最大解析度。這項成果進一步證明了ASML在EUV微影技術領域的領先地位和持續創新的能力。