TrendForce 報告稱，三大DRAM 供應商正在增加先進製程的晶圓投入。隨著記憶體合約價格的上漲，各公司紛紛加強了資本投資力度，今年下半年將專注於擴大產能。預計到今年年底，1α nm 及以上製程的晶圓投入量將佔DRAM 晶圓總投入量的40% 左右。

HBM 的生產將因其盈利能力和不斷增長的需求而得到優先考慮。然而，約50-60% 的有限產量和比DRAM 產品大60% 的晶圓面積意味著需要更高的晶圓投入比例。根據各公司的TSV 容量，預計到今年年底，HBM 將佔先進製程晶圓投入的35%，其餘晶圓容量將用於LPDDR5(X) 和DDR5 產品。

關於HBM的最新發展，TrendForce指出，HBM3e將成為今年的市場主流，出貨量將集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供應商，兩者都採用1beta 奈米工藝，並已向英偉達出貨。採用1Alpha nm 製程的三星公司預計將在第二季完成認證，並於今年年中開始供貨。

除了HBM 需求的比例不斷增加外，個人電腦、伺服器和智慧型手機的單位容量不斷增長也推動了先進製程產能的逐季成長。其中，伺服器的產能增幅最大，主要是由單位容量達1.75 TB 的人工智慧伺服器所推動的。隨著英特爾藍寶石Rapids 和AMD Genoa 等需要DDR5 記憶體的新平台的量產，預計到今年年底，DDR5 的滲透率將超過50%。

同時，由於HBM3e 的出貨量預計將集中在下半年，而下半年又是記憶體需求的旺季，因此市場對DDR5 和LPDDR5(X) 的需求也預計將增加。不過，由於2023 年出現財務虧損，廠商對產能擴張計畫持謹慎態度。整體而言，由於HBM 生產的晶圓投入比例較高，先進製程的產出將受到限制。因此，下半年的產能分配將是決定供應能否滿足需求的關鍵。

如果不充分擴大先進製程的產能，對HBM 生產的更多關注可能會導致DRAM 供應短缺。目前，新工廠計畫如下：三星預計在2024 年底，現有設施將全部使用完畢。新的P4L 工廠計劃於2025 年完工，而15 號生產線工廠將從1Y 奈米製程過渡到1beta 奈米及以上製程。 SK hynix 的M16 工廠的產能預計將在明年擴大，而M15X 工廠也計劃於2025 年竣工，並在明年年底開始量產。美光在台灣的工廠將於明年恢復滿載生產，未來的擴產重點將放在美國。博伊西工廠預計將於2025 年完工，隨後進行設備安裝，並計畫於2026 年量產。

TrendForce 指出，雖然新工廠計劃於2025 年竣工，但量產的確切時間表仍不確定，取決於2024 年的獲利情況。這種依靠未來利潤為進一步購買設備提供資金的做法，加強了製造商今年維持記憶體漲價的決心。此外，英偉達（NVIDIA）將於2025 年量產的GB200 將採用HBM3e 192/384 GB，有可能使HBM 產量翻倍。隨著HBM4 的開發在即，如果不在擴大產能方面進行大量投資，HBM 的優先發展可能會導致DRAM 因產能限製而供應不足。