生產全球最先進晶片的競爭日趨白熱化，台積電似乎一直保持領先。在最近舉行的技術研討會上，這家半導體製造巨頭介紹了其最新的3 奈米工藝，確認其性能優化的N3P 節點將按計劃於2024 年下半年投入量產。

在成功推出當前一代N3E 製程的基礎上，N3P 節點代表著一種光學收縮，有望提高性能效率和電晶體密度。雖然N3E 已經進入量產階段，台積電宣稱其良率與其成熟的5 奈米技術相當，”表現非常好”，但即將推出的N3P 則為晶片設計人員提供了一個新的起點。

據台積電高層稱，N3P 製程現已完成鑑定，其良品率性能緊跟其衍生的N3E 節點。作為一種光學收縮工藝，它在IP 模組、設計規則、EDA 工具和方法方面與N3E 保持兼容，從而使製造商的過渡更為順暢。

但是，N3P 的關鍵優勢在於其帶來的增強規格。與N3E 相比，晶片設計人員可以期待在相同功耗下效能提升約4%，或在匹配時脈下功耗降低約9%。對於由邏輯、SRAM 和類比元件組成的典型晶片設計，電晶體密度也提高了4%。

最初的N3（或N3B）節點的客戶群相對較小，主要集中在蘋果公司最新的M 系列晶片上，而N3E 將在台積電的半導體客戶名單中廣泛採用。

隨著摩爾定律的放緩，微型化變得越來越具有挑戰性，像N3P 這樣無需依賴進一步擴展就能提高電晶體性能的製造創新可能會被證明是至關重要的。最近，一位行業官員甚至預測，3 奈米製程將在很長一段時間內持續存在。

去年年底，有通報三星和台積電可能有良率問題。有消息稱，兩家公司的良品率都難以超過60%，低於吸引供應商的可行水準。三星宣稱的60% 良率據稱不包括SRAM 組件，而台積電則在消費者投訴iPhone 15 Pro過熱後面臨工藝優化落後於計劃的傳聞，現在這些問題似乎已成為過去，至少在台積電方面是如此。