這幾年，Intel以空前的力度推進先進製程工藝，希望以最快的速度反超台積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。目前，Intel正在按計畫實現其「四年五個製程節點」的目標，Intel 7製程、採用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。

其中，Intel 3作為升級版，應用於伺服器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發布，其中前者首次採用純E核心設計，最多288個。

Intel 20A和Intel 18A兩個節點正在順利推進中，分別相當於2nm、1.8nm，將繼續採用EUV技術，並應用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。

憑藉它們兩個，Intel希望能在2025年重奪製程領先性。

之後，Intel將繼續採用創新技術，推動未來製程節點的開發與製造，以鞏固領先性。

其中一個關鍵點就是High NA EUV技術，而數值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光能力的指標。

透過升級將遮罩上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學系統，High NA EUV微影技術能夠大幅提高分辨率，有助於電晶體的進一步微縮。

作為Intel 18A之後的下一個先進製程節點，Intel 14A 1.4nm級將採用High NA EUV光刻技術。

為了製造出特徵尺寸較小的電晶體，在整合High NA EUV微影技術的同時，Intel也在同步開發新的電晶體結構，並改善製程步驟，如透過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。

此外，Intel還公佈了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本，以協助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。