Intel 14A製程至關重要2025年後穩定領先
這幾年,Intel以空前的力度推進先進製程工藝,希望以最快的速度反超台積電,重奪領先地位,現在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領先地位。目前,Intel正在按計畫實現其「四年五個製程節點」的目標,Intel 7製程、採用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。
其中,Intel 3作為升級版,應用於伺服器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發布,其中前者首次採用純E核心設計,最多288個。
Intel 20A和Intel 18A兩個節點正在順利推進中,分別相當於2nm、1.8nm,將繼續採用EUV技術,並應用RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術。
憑藉它們兩個,Intel希望能在2025年重奪製程領先性。
之後,Intel將繼續採用創新技術,推動未來製程節點的開發與製造,以鞏固領先性。
其中一個關鍵點就是High NA EUV技術,而數值孔徑(NA)正是衡量收集和集中光能力的指標。
透過升級將遮罩上的電路圖形反射到矽晶圓上的光學系統,High NA EUV微影技術能夠大幅提高分辨率,有助於電晶體的進一步微縮。
作為Intel 18A之後的下一個先進製程節點,Intel 14A 1.4nm級將採用High NA EUV光刻技術。
為了製造出特徵尺寸較小的電晶體,在整合High NA EUV微影技術的同時,Intel也在同步開發新的電晶體結構,並改善製程步驟,如透過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。
此外,Intel還公佈了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本,以協助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。
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