SK海力士正在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來產生400層以上堆疊的新型3D NAND。據了解，SK海力士此次並未直接引進設備，而是選擇將測試晶圓送到東京電子的實驗室進行評估，以驗證新設備在生產上的實際表現。這項措施顯示了SK海力士在新技術引進上的謹慎態度和對品質的嚴格把控。

與傳統的蝕刻製程相比，東京電子的這款低溫蝕刻設備在工作溫度上形成了鮮明對比。傳統蝕刻製程通常在0℃到30℃的溫度範圍內進行，而這款新設備能在-70℃的低溫下運行，這樣的低溫環境為生產更高性能的3D NAND提供了可能。

根據東京電子提供的論文數據，這款新的蝕刻機能在短短33分鐘內完成10微米深的高深度比蝕刻，效率比現有工具高出三倍以上。這項顯著的技術進步不僅提高了3D NAND的生產效率，還有望進一步推動快閃記憶體技術的發展。

目前，SK海力士的321層3D NAND採用了三重堆疊結構。而採用東京電子的新設備後，該公司可能實現以單堆疊或雙堆疊的方式建構400層的3D NAND，這將進一步提升生產效率。然而，此目標的實現還需等待新設備在可靠性及性能一致性方面的進一步驗證。

值得一提的是，東京電子的這款低溫蝕刻設備在環保方面也表現出色。它採用氟化氫（HF）氣體作為蝕刻介質，相較於傳統系統使用的氟碳化物氣體，具有較低的溫室效應，為半導體產業的綠色發展提供了有力支持。

此外，全球半導體巨頭三星也在驗證這項新技術。與SK海力士不同，三星選擇了直接引進東京電子的新設備進行測試，顯示出其對新技術的高度關注和積極態度。