三星目標2025年量產2nm製程期待獲得顯著的性能與效率提升
先前三星公佈了2027年的製程技術路線圖,列出了2022年6月量產SF3E(3nm GAA,3GAE)以後的半導體製程發展計劃,包括SF3(3GAP)、SF3P(3GAP+)、SF4P、SF4X 、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星計劃今年帶來第二代3nm工藝,也就是SF3,傳聞已經在試產。不過先前也有消息人士稱,三星打算將第二代3nm製程將改為2nm製程。
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根據Business Korea報道,三星將在今年6月16日至20日舉行的「VLSI Symposium 2024」上發表一篇關於2nm(SF2)製程中應用第三代GAA(Gate-All-Around)晶體管製程技術特性的論文,並帶來更多關鍵細節。
三星稱,新製程將進一步完善多橋-通道場效電晶體(MBCFET)架構,具有獨特的外延和整合製程。與基於FinFET的製程技術相比,電晶體性能提升了11%至46%,變異性降低26%,同時漏電降低約50%。依照三星的規劃,SF2的技術開發工作將於2024年第二季完成,屆時其晶片合作夥伴將可選擇在該製程節點設計產品。
三星的努力不僅在突破技術界限上,過去一段時間正不斷加強2nm製程生態系統的建設,已經擁有50多個合作夥伴。今年2月,三星宣布與Arm展開合作,提供基於最新的GAA晶體管技術,優化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核,盡可能地提高了性能和效率,以將用戶體驗提升到一個新的水平。
同時,三星也計劃推出第三代3nm工藝,繼續提高密度並降低功耗,另外還需要繼續提升良品率。三星初代3nm製程很難說得上成功,傳聞早期的良品率僅20%,主要用於生產加密貨幣使用的晶片,缺乏大客戶的訂單支援。