三星已宣布開發下一代HBM4 內存，該內存將於2025 年亮相，並具有一些強大的規格和功能。在這家韓國半導體製造商的一篇部落格文章中，三星再次重申其HBM4 記憶體目前正在開發中，並將於2025 年亮相。

該公司目前的HBM 產品組合包括作為頂級產品的HBM3E”Shinebolt”，採用24 Gb DRAM，容量達36 GB，傳輸速度達9.8 Gbps。此記憶體技術採用2.5D 封裝，支援12 Hi 的堆疊。

三星HBM 產品組合的下一個演進將以HBM 4 的形式出現。這種特殊記憶體的代號目前尚不清楚，但它應該會有更大的發展。從規格開始，三星的HBM4 記憶體預計將包含多達16-Hi 堆疊，如果我們使用相同的24 Gb 模組可以組合出高達256 GB 的HBM4 容量，速度非常快，而目前的峰值約為10 Gbps。三星表示：

首先是”細分”。在早期市場，硬體的通用性非常重要，但在未來，隨著圍繞殺手級應用的服務日趨成熟，硬體基礎設施將不可避免地經歷一個針對每種服務進行最佳化的過程。三星電子計畫透過統一核心晶片、多樣化封裝和基礎晶片（如8H、12H 和16H）來應對。

目前，NVIDIA 的Blackwell B100/B200和AMD 的Instinct MI300 GPU可提供高達192 GB 的HBM 容量。前者採用較新的HBM3E 標準，後者採用HBM3 DRAM 解決方案。這兩款GPU 都有8 個HBM 位點，每個位點都有12-Hi 堆棧，因此如果將這些位點升級到較新的16-Hi 堆棧，就可以獲得256 GB 的容量。這還不算HBM4 將推出的更密集的DRAM 模組（24 Gb+）。

如果說從下一代HBM4 開始，為解決功耗牆問題而進行的第一次創新是從推出使用邏輯製程的基礎晶片開始的，那麼隨著從目前的2.5D HBM 逐步發展到3D HBM，將出現第二次創新。隨著DRAM 單元和邏輯的發展，預計將出現第三次創新，如HBM-PIM。目前，我們正在與客戶和合作夥伴討論如何實現這些創新，並將積極規劃和準備開拓市場。

此外，HBM4 背後的另一項關鍵技術將是3D 封裝的利用。最近，JEDEC 放寬了對HBM4 記憶體的要求，讓公司可以利用現有的黏合技術。下一代3D 封裝也可能克服與混合黏合相關的一些價格問題。 AMD 預計將透過MI350 和MI370 系列更新其MI300產品線，這些產品線預計將增加容量，而NVIDIA則可能在HBM4 供應穩定後更新其Blackwell GPU，以便在未來推出速度更快的產品。