近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，該公司聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、矽及先進半導體材料全國重點實驗室。採用自主開創的鑄造法，成功製備了高品質6吋非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，並加工獲得了6吋氧化鎵襯底片。

6吋導電型氧化鎵基板

杭州鎵仁半導體，也成為國內首家掌握6吋氧化鎵單晶基板製備技術的產業化公司。

據介紹，氧化鎵因其優異的性能和低成本的製造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，稱為第四代半導體材料。

該材料主要用於製備功率元件、射頻元件及偵測元件，在軌道運輸、智慧電網、新能源汽車、光伏發電、5G行動通訊、國防軍工等領域，均具有廣泛應用前景。

6吋非故意摻雜（上）與導電型（下）氧化鎵單晶

該公司表示，此次製備6吋氧化鎵基板所採用的鑄造法，具有以下顯著優勢：

第一，鑄造法成本低，由於貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；

第二，鑄造法簡單可控，其製程短、效率高、尺寸易放大；

第三，鑄造法擁有完全自主智慧財產權，中國和美國專利已授權，為突破國外技術壟斷，實現國產化替代奠定堅實基礎。

目前而言，日本的NCT在氧化鎵基板方面，仍佔據領先地位，但國內也整體呈現追趕態勢。