上週，ASML 慶祝了一個重要的里程碑–該公司的社群媒體帳號分享了其第三代極紫外光（EUV）光刻工具到達一位未具名客戶的訊息。貼文包括幾張照片–ASML 工人聚集在一對恆溫貨櫃前，Peter Wennink（總裁兼執行長）和Christophe Fouquet（執行副總裁兼CBO）向公司總部的員工表示感謝。

「晶片製造商需要速度！第一台Twinscan NXE:3800E 現已安裝在晶片製造廠。 憑藉其新型晶圓平台，該系統將為先進晶片的印刷提供領先的生產率。我們正在將光刻技術推向新的極限。”

Twinscan NXE:3800E 是ASML 0.33 數值孔徑（Low-NA）光刻掃描儀系列中的最新平台。相關資訊很少，因為ASML公司尚未發布3800E 產品頁面。

而前一個型號–Twinscan NXE:3600D支援3奈米和5奈米的EUV 量產。ASML 的路線圖表明，Twinscan NXE:3800E 是為生產2 奈米和3 奈米級技術的晶片而設計的。該公司最先進的高奈極致紫外線（EUV）晶片製造工具（High NA Twinscan EXE）預計成本約為3.8 億美元。上個月的報導指出，現有的低納極致紫外線光刻系統”的價格可能為1.83 億美元。

另一台低雜訊EUV設備將於2026年發表–ASML的新一代Twinscan NXE:4000F型號將與新興的（更昂貴的）高雜訊解決方案並存。