最近ASML（阿斯麥）交付了第三代極紫外線（EUV）光刻工具，新設備型號為Twinscan NXE:3800E，配備了0.33數值孔徑透鏡。相較於之前的Twinscan NXE:3600D，效能有了進一步的提高，可以支援未來幾年3nm及2nm晶片的製造。

在ASML看來，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV微影技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和精度方面的另一個飛躍。新的光刻設備可達到每小時處理195片晶圓的處理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，未來有可能提高至220片。此外，新工具還提供了小於1.1nm的晶圓對準精度。

即便用於4/5nm晶片的生產，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，讓製造商可以提高晶片生產的經濟性，實現更有效率且更具成本效益的晶片生產。更重要的一點，是Twinscan NXE:3800E對於製造2nm晶片和後續需要雙重曝光的製造技術有更好的效果，精度的提升會讓3nm以下的製程節點受益。

Twinscan NXE:3800E光刻機的價格並不便宜，機器的複雜性和功能是以巨大的成本為代價，每台大概在1.8億美元。不過比起新一代High-NA EUV光刻機的報價，顯然還是低很多。先前有報導稱，業界首款採用High-NA EUV光刻技術的TWINSCAN EXE:5200光刻機報價達到了3.8億美元。

ASML也將持續推進Low-NA EUV微影設備的開發，接下來將帶來新款Twinscan NXE:4000F，計畫在2026年發布，凸顯了ASML對EUV製造技術的承諾。