TrendForce報告稱，由於HBM的高平均售價和獲利能力，記憶體領域發生了大量資本投資。資深副總裁Avril Wu 指出，到2024 年底，DRAM 產業預計將分配約250K/m (14%) 的總產能用於生產HBM TSV，預計年度供應位成長約260%。此外，HBM 在DRAM 產業的營收份額（2023 年約為8.4%）預計到2024 年底將增至20.1%。

Wu解釋說，就HBM和DDR5的生產差異而言，HBM的晶片尺寸通常比相同製程和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb與24Gb相比）。HBM的良率（包括TSV封裝）比DDR5大約低20-30%，生產週期（包括TSV）比DDR5長1.5到2個月。

由於HBM 從晶圓開始到最終封裝的生產週期較長，需要兩個季度以上，因此渴望充足供應的買家需要提前鎖定訂單。

 TrendForce獲悉，2024年大部分訂單已提交給供應商，除非驗證失敗，否則不可取消。三星和SK hynix 的HBM 生產計劃在今年年底前最為激進。預計到年底，三星的HBM總產能將達到13萬片左右（包括TSV）；SK hynix約為12萬片，但產能可能會根據驗證進度和客戶訂單而變化。

關於目前主流HBM3 產品的市場份額，SK hynix 佔據了HBM3 市場90% 以上的份額，而隨著AMD 的MI300 在未來幾季的逐步發布，三星預計將緊隨其後。