業內人士認為，三星電子正在向模壓填充（MR-MUF）生產技術過渡——其競爭對手內存製造商SK Hynix 是這種晶片製造技術的倡導者。路透社的獨家報道援引了五位業內人士的說法–他們認為三星正在對令人失望的HBM 產量做出反應。

該出版物提出”三星落後於（競爭生產商）的原因之一是，它決定堅持使用會導致一些生產問題的非導電膜（NCF）晶片製造技術，而海力士則轉而採用大規模回流模壓填充（MR-MUF）方法來解決NCF 的弱點”。報導稱，三星正在訂購新的MUF 相關設備。

一位匿名消息人士說：”三星必須採取一些措施來提高其HBM（生產）產量……採用MUF 技術對（他們）來說是一件有點咽不下這口氣的事情，因為它最終沿用了SK Hynix 最早使用的技術。”

路透社設法從這家韓國跨國巨頭那裡得到了回應–公司發言人表示：”我們正在按計劃開展HBM3E 產品業務。他們表示，NCF 技術仍然是”最佳解決方案”。

文章發表後，官方又做出了回應：”關於三星將在其HBM 生產中應用MR-MUF 的傳言並不屬實”。

內部人士透露接下來團隊會經歷漫長的測試階段–據傳三星正在採購MUF 材料，但預計量產不會在今年開始。三位消息人士稱，三星計劃在新一代HBM 晶片中”同時使用NCF 和MUF 技術”。