據報道，JEDEC 已經放寬了HBM4 記憶體參與者的限制，從而有可能提高16-Hi 設計的開發效率。JEDEC 放寬了三星、SK 海力士和美光等製造商的HBM4 厚度閾值，16-Hi 堆疊不再需要混合鍵合技術

HBM4 是記憶體領域的下一個大事件，每家公司都參與了該記憶體類型的最有效開發，因為它最終將為下一代市場的成功奠定基礎。

根據ZDNet Korea報告，為了幫助製造商，JEDEC 決定將12 層和16 層HBM4 堆疊的HBM4 封裝厚度降低到775 微米，因為更高的厚度水平會帶來複雜性，而且與該製程相關的需求也非常值得期待。

此外，據說製造商以前曾採用混合鍵合製程這種較新的封裝技術來減少封裝厚度，因為這種製程使用板載晶片和晶片直接鍵合。

不過，由於HBM4 記憶體將是一項新技術，預計採用混合鍵合技術將導致整體價格上漲，這意味著下一代產品將更加昂貴，但混合鍵合技術的使用還不確定，因為HBM 製造商可能會利用JEDEC 做出的”放寬”。

至於我們何時能看到基於HBM4的產品亮相，SK hynix計劃在2026年實現量產，最初的樣品預計每堆疊容量高達36 GB。

眾所周知，HBM4 將徹底改變人工智慧市場的運算性能，因為這種記憶體類型將採用”革命性”的板載晶片配置，把邏輯和半導體結合到單一封裝中。由於台積電和SK hynix 最近建立了聯盟，HBM 和半導體市場有望在合作的環境中發展。