有多位知情人士透露，隨著晶片製造競賽的升級，三星電子計畫採用競爭對手SK海力士的技術。目前市場對於HBM（高頻寬儲存）晶片的需求越來越大，然而與競爭對手SK海力士和美光相比，三星卻失去了英偉達的大單。

分析人士普遍認為，三星之所以丟掉大單，很大程度上源於其堅持採用非導電薄膜（NCF）晶片工藝；而SK海力士使用的批量回流模製底部填充（MR-MUF）工藝，則有效解決了NCF技術的弊端。

分析師認為，三星HBM3晶片的良率表現並不理想，僅維持在10-20%的水準；相較之下，其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達60-70%。

無奈之下，三星也開始計畫採用SK海力士使用的MR-MUF工藝，而非先前堅持的NCF技術。

知情人士稱，三星最近已發出了處理MR-MUF技術的設備採購訂單，也正在與包括日本長瀨公司在內的材料製造商洽談採購MUF材料的事宜。

但儘管如此，由於需要進行更多的測試和優化，三星使用這項技術的晶片最早要到明年才能實現量產。