韓國科技業內人士認為，SK Hynix 已經向英偉達（NVIDIA）發送了”12 層DRAM 堆疊HBM3E（第5 代HBM）”原型樣品。根據ZDNet.co.kr 的一篇文章，最初的樣品已在上個月發貨。

2023 年中的報告稱，NVIDIA在夏季前後獲得了8 層HBM3E（第4 代）單元的樣品，SK Hynix 也很快收到了批准通知。另一家韓國媒體DealSite 認為，英偉達的記憶體認證流程暴露了多家製造商的HBM 產量問題。SK 海力士、三星和美光在HBM3E 領域展開了激烈的競爭，希望能將各自的產品應用到英偉達的H200 AI GPU 上。

DigiTimes Asia稱，SK Hynix準備在本月某個時間點”開始量產第五代HBM3E”。業內人士認為，SK Hynix 的良品率足以通過NVIDIA的早期認證，先進的12 層樣品預計在不久的將來獲得批准。

ZDNet認為，SK Hynix 的發展勢頭使其處於有利地位：”（他們）在去年下半年提供了8 層HBM3E 樣品，並通過了最近的測試。雖然官方時間表尚未公佈，但預計最早將於本月開始量產。此外，SK Hynix 上個月也向英偉達提供了12 層HBM3E 樣品。該樣品屬於極早期版本，主要用於建立新產品的標準和特性。SK Hynix 將其稱為UTV（Universal Test Vehicle ）。由於海力士已經完成了8 層HBM3E 的性能驗證，因此預計12 層HBM3E 的測試不會花費太多時間”

SK Hynix副總裁最近透露，該公司2024 年的HBM 產能已經預定一空，領導層已經在為2025 年及以後的創新做準備。