彭博社報道，總部位於利川的SK Hynix公司今年將在韓國投資超過10億美元，用於擴大和改進其晶片製造的最後步驟，前三星電子工程師、現任SK Hynix 封裝開發主管的Lee Kang-Wook 說。此製程的創新是HBM 作為最受歡迎的人工智慧記憶體的核心優勢所在，進一步的進步將是降低功耗、提高效能和鞏固公司在HBM 市場領先地位的關鍵。

隨著現代人工智慧及其透過平行處理鏈消化大量資料的技術的出現，這種技術的重要性與日俱增。雖然SK 海力士沒有披露今年的資本支出預算，但分析師的平均估計是14 兆韓元（105 億美元）。這表明，先進的封裝技術可能占到其中的十分之一，是主要的優先事項。

Lee 在接受採訪時說：”半導體行業的前50 年都是關於前端的，也就是晶片本身的設計和製造。但是，下一個50 年的重點將是後端，即封裝。”

在這場競賽中，率先實現下一個里程碑的公司現在可以躍居行業領先地位。SK Hynix 被NVIDIA 公司選中，為其製定標準的人工智慧加速器提供HBM，從而將這家韓國公司的價值推高到119 兆韓元。自2023年初以來，SK海力士的股價已上漲近120%，成為韓國第二大最有價值的公司，超過了三星和美國競爭對手美光科技。

現年55 歲的Lee 協助開創了封裝第三代HBM2E 技術的新方法，並很快被其他兩家主要製造商效仿。這項創新是SK Hynix 在2019 年底贏得NVIDIA 客戶地位的關鍵。

長期以來，Lee 一直熱衷於透過堆疊晶片來獲得更高的性能。2000 年，他在日本東北大學獲得了微系統三維整合技術的博士學位，師從發明了用於手機的堆疊電容DRAM 的小柳光正。2002 年，Lee 加入三星記憶體部門擔任首席工程師，領導開發了基於矽通孔(TSV) 的3D 封裝技術。

這項工作後來成為開發HBM 的基礎。HBM 是一種高效能記憶體，它將晶片堆疊在一起，並用TSV 連接，以實現更快、更節能的資料處理。

但在前智慧型手機時代，三星在其他地方下了更大的賭注。全球晶片製造商通常會將組裝、測試和封裝晶片的任務外包給較小的亞洲國家。

因此，當SK Hynix 和美國合作夥伴Advanced Micro Devices Inc. 於2013 年向全球推出HBM 時，在三星於2015 年底開發出HBM2 之前的兩年時間裡，它們一直沒有受到挑戰。李在鎔三年後加入SK 海力士。他們不無自豪地開玩笑說，HBM 代表”海力士最好的內存”。

里昂證券韓國公司的分析師Sanjeev Rana 說：”SK 海力士的管理層對這個行業的發展方向有更好的洞察力，他們已經做好了充分的準備。當機會來臨時，他們用雙手抓住了它。至於三星，他們被打了個措手不及”。

ChatGPT 於2022 年11 月發布，這正是Lee 翹首以盼的時刻。當時，他的團隊在日本聯絡人的幫助下，已經開發出一種名為大規模回流注塑填充（MR-MUF）的新型封裝方法。這種製程是在矽層之間注入液態材料，然後使其硬化，從而改善了散熱和產量。據一位熟悉內情的人士透露，SK 海力士與日本Namics 公司合作開發了這種材料，並獲得了相關專利。

Lee 表示，SK Hynix 正在將大部分新投資用於推進MR-MUF 和TSV 技術。

多年來，三星一直被其高層的接班人問題所困擾，現在三星正在進行反擊。NVIDIA 去年向三星的HBM 晶片點頭示意，這家總部位於水原的公司於2 月26 日表示，它已開發出第五代HBM3E 技術，該技術擁有12 層DRAM 晶片，容量達到36GB，為業界最大。

同一天，總部位於美國愛達荷州博伊西的美光公司（Micron）宣布開始批量生產24GB 八層HBM3E，這將成為NVIDIA 第二季度出貨的H200 Tensor Core 設備的一部分，令業內觀察人士大吃一驚。

隨著SK Hynix 致力於擴大和提高國內技術，並計劃在美國建立價值數十億美元的先進封裝工廠，面對日益激烈的競爭，Lee 仍然看好SK Hynix 的發展前景。他認為，目前的投資為未來新一代HBM 滿足更多需求奠定了基礎。