32Gb、400MB/s頻寬江波龍首顆自研2D MLC NAND Flash快閃記憶體發布
日前,繼自研SLC NAND Flash系列產品規模化產後,江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發表。本產品採用BGA132封裝,支援Toggle DDR模式,資料存取頻寬可達400MB/s,將可望應用於eMMC、SSD等產品。
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江波龍表示,近年來在記憶體晶片自主研發投入了大量的精力和資源,公司引進了一批具備超過20年記憶體晶片設計經驗的高階人才。
據介紹,該團隊不僅精通快閃晶片設計技術,還對於流片製程、產品生產流程有深入了解,對4xnm、2xnm、1xnm等Flash製程節點的產品實現擁有豐富經驗。
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在產品測試方面,江波龍自研NAND Flash產品透過內嵌片上DFT電路,搭配自主開發的測試平台,實現高效率生產測試。
目前,江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力,並將透過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列。
值得一提的是,江波龍除了在NAND Flash晶片領域持續發力,還在DRAM晶片方面進行深入研究。
根據江波龍介紹,2023年就已推出複合式儲存nMCP,將自研SLC NAND Flash和透過自研測試平台驗證的LPDDR4x進行合併封裝,實現高頻低耗、寬鬆運轉的優異特性,可充分滿足5G網路模組儲存需求。
江波龍表示,未來將持續大力投入記憶體晶片的自主研發,深入挖掘NAND Flash、DRAM記憶體晶片的應用潛力。
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